[發(fā)明專利]陶瓷體上硅襯底的制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710940454.0 | 申請日： | 2017-10-11 |
| 公開（公告）號： | CN107731731B | 公開（公告）日： | 2020-04-21 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李瑾;冒薇;王豐梅;楊靜;趙書平 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州研材微納科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762;H01L27/12 |
| 代理公司： | 南京思拓知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32288 | 代理人： | 張濤 |
| 地址： | 215121 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 陶瓷 體上硅 襯底 制備 方法 | ||
1.一種陶瓷體上硅襯底的制備方法，其特征是，所述制備方法包括如下步驟：
步驟1、提供所需的第一硅襯底（1）以及第二硅襯底（3），并對所述第一硅襯底（1）、第二硅襯底（3）進行清洗；
步驟2、在第一硅襯底（1）上均勻涂覆陶瓷埋材層（2），所述陶瓷埋材層（2）包括聚硅氮烷；
所述陶瓷埋材層（2）為聚硅氮烷時，陶瓷埋材層（2）涂覆在第一硅襯底（1）上的過程為：先將聚硅氮烷溶解，再將聚硅氮烷溶液滴于第一硅襯底（1）的中心，最后利用勻膠機將聚硅氮烷均勻涂覆在第一硅襯底（1）上；
在利用勻膠機涂覆時，勻膠機先以700rpm~900rpm的轉(zhuǎn)速將第一硅襯底（1）上的聚硅氮烷液體攤開，再以4000rpm~5000rpm的轉(zhuǎn)速將聚硅氮烷液體均勻涂覆在第一硅襯底（1）上；
步驟3、將第二硅襯底（3）鍵合在上述第一硅襯底（1）上，第二硅襯底（3）通過陶瓷埋材層（2）與第一硅襯底（1）間隔；
步驟4、對上述陶瓷埋材層（2）進行陶瓷化工藝，以得到位于第一硅襯底（1）與第二硅襯底（3）之間的陶瓷體絕緣埋層（4）；
陶瓷埋材層（2）采用聚硅氮烷時，步驟4中，對陶瓷埋材層（2）進行陶瓷化時，將第一硅襯底（1）、第二硅襯底（3）以及陶瓷埋材層（2）置于馬弗爐中，將馬弗爐的溫度升高到800℃以上，以使得陶瓷埋材層（2）發(fā)生熱裂解；在陶瓷埋材層（2）發(fā)生熱裂解后，再使得馬弗爐的溫度升高到1400℃以上，以在第一硅襯底（1）與第二硅襯底（3）間結(jié)晶形成陶瓷體絕緣埋層（4）。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷體上硅襯底的制備方法，其特征是：在得到陶瓷體絕緣埋層（4）后，對第二硅襯底（3）進行減薄，對第二硅襯底（3）進行減薄的方式包括化學(xué)機械拋光。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷體上硅襯底的制備方法，其特征是，所述陶瓷埋材層（2）的厚度不大于3μm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
