[發明專利]陶瓷體上硅襯底的制備方法

有效

• 申請號: 201710940454.0
• 申請日: 2017-10-11
• 公開（公告）號: CN107731731B
• 公開（公告）日: 2020-04-21
• 發明（設計）人: 李瑾;冒薇;王豐梅;楊靜;趙書平
• 申請（專利權）人: 蘇州研材微納科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762;H01L27/12
• 代理公司: 南京思拓知識產權代理事務所(普通合伙) 32288
• 代理人: 張濤

1.一種陶瓷體上硅襯底的制備方法，其特征是，所述制備方法包括如下步驟：

步驟1、提供所需的第一硅襯底（1）以及第二硅襯底（3），并對所述第一硅襯底（1）、第二硅襯底（3）進行清洗；

步驟2、在第一硅襯底（1）上均勻涂覆陶瓷埋材層（2），所述陶瓷埋材層（2）包括聚硅氮烷；

所述陶瓷埋材層（2）為聚硅氮烷時，陶瓷埋材層（2）涂覆在第一硅襯底（1）上的過程為：先將聚硅氮烷溶解，再將聚硅氮烷溶液滴于第一硅襯底（1）的中心，最后利用勻膠機將聚硅氮烷均勻涂覆在第一硅襯底（1）上；

在利用勻膠機涂覆時，勻膠機先以700rpm~900rpm的轉速將第一硅襯底（1）上的聚硅氮烷液體攤開，再以4000rpm~5000rpm的轉速將聚硅氮烷液體均勻涂覆在第一硅襯底（1）上；

步驟3、將第二硅襯底（3）鍵合在上述第一硅襯底（1）上，第二硅襯底（3）通過陶瓷埋材層（2）與第一硅襯底（1）間隔；

步驟4、對上述陶瓷埋材層（2）進行陶瓷化工藝，以得到位于第一硅襯底（1）與第二硅襯底（3）之間的陶瓷體絕緣埋層（4）；

陶瓷埋材層（2）采用聚硅氮烷時，步驟4中，對陶瓷埋材層（2）進行陶瓷化時，將第一硅襯底（1）、第二硅襯底（3）以及陶瓷埋材層（2）置于馬弗爐中，將馬弗爐的溫度升高到800℃以上，以使得陶瓷埋材層（2）發生熱裂解；在陶瓷埋材層（2）發生熱裂解后，再使得馬弗爐的溫度升高到1400℃以上，以在第一硅襯底（1）與第二硅襯底（3）間結晶形成陶瓷體絕緣埋層（4）。

2.根據權利要求1所述的陶瓷體上硅襯底的制備方法，其特征是：在得到陶瓷體絕緣埋層（4）后，對第二硅襯底（3）進行減薄，對第二硅襯底（3）進行減薄的方式包括化學機械拋光。

3.根據權利要求1所述的陶瓷體上硅襯底的制備方法，其特征是，所述陶瓷埋材層（2）的厚度不大于3μm。