[發(fā)明專利]一種改善非線性晶體頻率轉(zhuǎn)換激光光斑質(zhì)量的裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710940434.3 | 申請(qǐng)日: | 2017-10-11 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107561814A | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-01-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 校金濤;陳基平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 福建科彤光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02F1/35 | 分類號(hào): | G02F1/35 |
| 代理公司: | 福州盈創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)35226 | 代理人: | 李明通 |
| 地址: | 350000 福建省福州*** | 國(guó)省代碼: | 福建;35 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 改善 非線性 晶體 頻率 轉(zhuǎn)換 激光 光斑 質(zhì)量 裝置 | ||
1.一種改善非線性晶體頻率轉(zhuǎn)換激光光斑質(zhì)量的裝置,其特征在于,所述裝置包括非線性晶體單元(1)和走離補(bǔ)償晶體單元(2);所述非線性晶體單元(1)包括非線性晶體,所述非線性晶體由β-硼酸鋇晶體或β-硼酸鋇晶體或硼酸銫鋰晶體構(gòu)成,所述走離補(bǔ)償晶體單元(2)包括單軸晶體,所述單軸晶體由釩酸釔晶體或α-硼酸鋇晶體構(gòu)成,所述非線性晶體單元(1)與所述走離補(bǔ)償晶體單元(2)為分離式結(jié)構(gòu)或者通過(guò)光學(xué)膠合粘結(jié)成為一個(gè)整體結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善非線性晶體頻率轉(zhuǎn)換激光光斑質(zhì)量的裝置,其特征在于:所述走離補(bǔ)償晶體的厚度l2由轉(zhuǎn)換激光的走離角θ1和有效非線性作用距離l1及走離補(bǔ)償晶體的走離角θ2決定,并且滿足關(guān)系式l2=(l1tanθ1)/tanθ2。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善非線性晶體頻率轉(zhuǎn)換激光光斑質(zhì)量的裝置,其特征在于:所述走離補(bǔ)償晶體單元(2)中的走離補(bǔ)償晶體的光軸切割角度為40°~50°。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種改善非線性晶體頻率轉(zhuǎn)換激光光斑質(zhì)量的裝置,其特征在于:所述走離補(bǔ)償晶體單元(2)中的走離補(bǔ)償晶體的光軸切割角度為45°。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種改善非線性晶體頻率轉(zhuǎn)換激光光斑質(zhì)量的裝置,其特征在于:所述走離補(bǔ)償晶體單元(2)還包括非線性晶體中相同的負(fù)單軸或負(fù)雙軸晶體。
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的
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