[發(fā)明專利]一種氣提式再沸器及吸收裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710940291.6 | 申請日: | 2017-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN107551593B | 公開(公告)日: | 2023-09-26 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張驚濤 | 申請(專利權(quán))人: | 成都賽普瑞興科技有限公司 |
| 主分類號: | B01D3/32 | 分類號: | B01D3/32;B01D3/14;B01J19/30;B01D53/18;B01D3/00 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 孫海杰 |
| 地址: | 610036 四*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氣提式再沸器 吸收 裝置 | ||
1.一種氣提式再沸器,其特征在于,包括殼體、氣提氣管道、用于將貧液輸出的貧液溢流管、加熱部件和設置在所述殼體內(nèi)且填充有填料的氣提隔室,所述加熱部件設置于所述殼體內(nèi)且置于所述氣提隔室外,所述氣提隔室的頂部設置有與所述加熱部件所在空間連通的氣液通道,所述氣提氣管道的出口端和所述貧液溢流管的進口端均設置于所述氣提隔室內(nèi)的底部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣提式再沸器,其特征在于,所述貧液溢流管的進口端低于所述氣提氣管道的出口端。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣提式再沸器,其特征在于,在所述氣提隔室的底部設置氣體分布器,所述氣體分布器的入口與所述氣提氣管道的出口端連通。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣提式再沸器,其特征在于,所述氣體分布器包括支管和分散球,所述支管與所述氣提氣管道的出口端連通,所述分散球設置于所述支管靠近所述氣提隔室的底壁的一端,且所述分散球高于所述貧液溢流管的進口端。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣提式再沸器,其特征在于,所述氣提式再沸器還包括設置于所述氣提隔室和所述加熱部件之間的導流板,所述導流板頂部與所述殼體的頂壁之間形成氣相通道,所述導流板的底部與所述殼體的底壁之間形成液相通道。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的氣提式再沸器,其特征在于,所述氣液通道位于所述氣提隔室靠近所述加熱部件一端的擋板上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣提式再沸器,其特征在于,所述氣液通道為多個條形孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣提式再沸器,其特征在于,所述氣液通道的寬度大于所述氣相通道的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的氣提式再沸器,其特征在于,在所述氣提隔室的頂部設置有人孔。
10.一種吸收裝置,其特征在于,包括吸收塔、精餾柱和權(quán)利要求1-9中任一項所述的氣提式再沸器,所述氣提式再沸器與所述精餾柱的底端連通,所述貧液溢流管的出口端與所述吸收塔的貧液進口連通。
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