[發(fā)明專利]裝飾膜有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710939113.1 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-30 |
| 公開(公告)號(hào): | CN109613637B | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 于甄;張國(guó)臻;夏振 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 張家港康得新光電材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | G02B5/08 | 分類號(hào): | G02B5/08;G02B1/10 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240 | 代理人: | 韓建偉;梁文惠 |
| 地址: | 215634 江*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 裝飾 | ||
1.一種裝飾膜,其中,包括:
透明基材層(10),具有相對(duì)的第一表面和第二表面;
反射膜系,設(shè)置在所述透明基材層(10)的第一表面和/或第二表面上,所述反射膜系包括鏤空的折射材料部(20),所述折射材料部(20)包括n個(gè)疊置的高低折射率材料單元,各所述高低折射率材料單元包括一個(gè)高折射率材料層(21)和與之配對(duì)的一個(gè)低折射率材料層(22),所述折射材料部(20)包括至少一個(gè)膜系結(jié)構(gòu)為│(α1Hβ1Lα2Hβ2L...αmHβmL)│的膜堆,其中,H表示所述高折射率材料層(21),L表示所述低折射率材料層(22),n、m為正整數(shù),且3<n≤150,3<m≤50,m≤n,同一個(gè)所述膜堆中的α1,α2,...,αm以及βm,...,β2,β1各自獨(dú)立地滿足同一個(gè)余弦波形或正弦波形上的同一遞變規(guī)律;對(duì)于第i個(gè)所述高低折射率材料單元αiHβiL,1≤i≤n,αi表示第i個(gè)所述高折射率材料層(21)沿與所述透明基材層(10)垂直的方向上光學(xué)厚度占λ/4的倍數(shù),βi表示第i個(gè)所述低折射率材料層(22)沿與所述透明基材層(10)垂直的方向上光學(xué)厚度占λ/4的倍數(shù),λ為膜堆的監(jiān)控波長(zhǎng),
同一個(gè)所述膜堆中,對(duì)于第i個(gè)所述高低折射率材料單元αiHβiL,所述高折射率材料層(21)的光學(xué)厚度為αi*λ/4,所述低折射率材料層(22)的光學(xué)厚度為βi*λ/4,所述高折射率材料層(21)的折射率為NH,所述高折射率材料層(21)的物理厚度為DH,則存在NH*DH=αi*λ/4;所述低折射率材料層(22)的折射率為NL,所述低折射率材料層(22)的物理厚度為DL,則存在NL*DL=βi*λ/4;其中,α1,α2,...,αm以及βm,...,β2,β1各自獨(dú)立地滿足選自范圍在0~2π的同一個(gè)所述正弦波形或余弦波形的左上半弦、左下半弦、右上半弦和右下半弦上的同一遞變規(guī)律,
所述裝飾膜以455nm為監(jiān)控波長(zhǎng)時(shí),αi,βi的取值范圍在:0.01≤αi≤3.2,0.01≤βi≤3.2。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝飾膜,其中,所述裝飾膜以455nm為監(jiān)控波長(zhǎng)時(shí),0.05≤αi≤2.8,0.05≤βi≤2.8。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝飾膜,其中,所述裝飾膜以455nm為監(jiān)控波長(zhǎng)時(shí),0.1≤αi≤2.8,0.1≤βi≤2.8。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝飾膜,其中,所述裝飾膜以455nm為監(jiān)控波長(zhǎng)時(shí),0.2≤αi≤2.7,0.2≤βi≤2.7。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝飾膜,其中,所述膜堆的高低折射率材料單元的數(shù)量占所述折射率材料部的高低折射率材料單元的總數(shù)量的60~99%。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的裝飾膜,其中,所述高折射率材料層(21)的物理厚度為1~400nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝飾膜,其中,所述高折射率材料層(21)的物理厚度為10~150nm。
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