[發明專利]半導體離子能發電方法

在審

• 申請號: 201710938795.4
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN107659206A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 徐希堯;宋輝
• 申請（專利權）人: 徐希堯;宋輝
• 主分類號: H02N3/00
• 分類號: H02N3/00
• 代理公司: 青島發思特專利商標代理有限公司37212
• 代理人: 耿霞

1.一種半導體離子能發電方法，其特征在于，在容器(1)內置入離子液體(2)，然后向離子液體(2)內置入至少一組發電單元，各發電單元通過隔墻(18)分隔，所述發電單元包括至少一對成對設置的P型半導體片(3)和N型半導體片(4)，P型半導體片(3)和N型半導體片(4)的電場與離子液體(2)內的離子電場相互作用，離子液體(2)中帶正電荷的離子在電場作用下流向N型半導體片(4)，離子液體(2)中帶負電荷的離子在電場作用下流向P型半導體片(3)，分別由P型半導體片(3)和N型半導體片(4)接出導電端。

2.根據權利要求1所述的半導體離子能發電方法，其特征在于，所述P型半導體片(3)和N型半導體片(4)平行置于離子液體(2)內。

3.根據權利要求1所述的半導體離子能發電方法，其特征在于，所述發電單元包括多對P型半導體片(3)和N型半導體片(4)，所述P型半導體片(3)并聯，所述N型半導體片(4)并聯。

4.根據權利要求1、2或3所述的半導體離子能發電方法，其特征在于，所述P型半導體片(3)包括兩層，兩層P型半導體片(3)分別固定在導電基材(7)的兩個側面上，導電基材(7)上設置極柱(8)。

5.根據權利要求4所述的半導體離子能發電方法，其特征在于，所述P型半導體片(3)包括多片P型半導體單元片(15)，P型半導體單元片(15)通過導電膠(14)粘接在導電基材(7)上，P型半導體單元片(15)之間的空隙填充絕緣密封膠(13)，導電基材(7)對離子液體(2)裸露部分涂覆絕緣密封膠(13)。

6.根據權利要求1所述的半導體離子能發電方法，其特征在于，所述P型半導體片(3)替換為活潑金屬片(10)。

7.根據權利要求1所述的半導體離子能發電方法，其特征在于，所述N型半導體片(4)替換為非活潑金屬片(11)。

8.一種半導體離子能發電方法，其特征在于，在容器(1)內置入離子液體(2)，然后向離子液體(2)內置入至少一組發電單元，各發電單元通過隔墻(18)分隔，所述發電單元包括至少一片PN結半導體片(12)，離子液體(2)中的正負離子受到PN結半導體片(12)的電場作用，PN結半導體片(12)的P區(21)大量空穴吸收離子液體(2)中的負離子，PN結半導體片(12)的N區(22)大量電子吸收離子液體(2)中的正離子，PN結的耗盡區打開并趨于飽和，由PN結半導體片(12)的P區(21)和N區(22)分別引出導電端。

9.根據權利要求8所述的半導體離子能發電方法，其特征在于，發電單元的多個PN結半導體片(12)之間設置隔板(9)，多個PN結半導體片(12)的P區(21)并聯，多個PN結半導體片(12)的N區(22)并聯。

10.根據權利要求8所述的半導體離子能發電方法，其特征在于，所述PN結半導體片(12)包括兩層，兩層PN結半導體片(12)分別固定在導電基材(7)的兩個側面上，所述導電基材(7)兩個側面頂部分別對應PN結半導體片(12)的P區(21)和N區(22)設置極柱(8)。