[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件及其形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710938448.1
• 申請(qǐng)日: 2017-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109599337A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李勇
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路新技術(shù)研發(fā)(上海)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L21/28;H01L29/06;H01L29/10;H01L29/423;H01L29/78
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 徐文欣;吳敏

1.一種半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上具有第一鰭部；

形成位于第一鰭部中的第一初始摻雜層；

對(duì)第一初始摻雜層的頂部進(jìn)行凹槽處理工藝以形成第一摻雜層，所述第一摻雜層頂部具有凹槽，所述凹槽在第一鰭部寬度方向的剖面形狀為“V”形；

在第一摻雜層的外側(cè)壁和頂部表面、以及所述凹槽的內(nèi)壁表面形成第一金屬硅化物層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一初始摻雜層包括中間區(qū)域和位于中間區(qū)域周圍的邊緣區(qū)域；所述半導(dǎo)體器件的形成方法還包括：在進(jìn)行所述凹槽處理工藝之前，形成第一鰭側(cè)墻，第一鰭側(cè)墻位于第一初始摻雜層在第一鰭部寬度方向上的兩側(cè)側(cè)壁且暴露出第一初始摻雜層的頂部表面；

進(jìn)行所述凹槽處理工藝的步驟包括：以第一鰭側(cè)墻為掩膜刻蝕第一初始摻雜層，以第一鰭側(cè)墻為掩膜刻蝕第一初始摻雜層的工藝對(duì)中間區(qū)域的刻蝕速率大于對(duì)邊緣區(qū)域的刻蝕速率，使第一初始摻雜層形成所述第一摻雜層；去除第一摻雜層側(cè)壁的第一鰭側(cè)墻。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，以第一鰭側(cè)墻為掩膜刻蝕第一初始摻雜層的工藝為干刻工藝，參數(shù)包括：采用的氣體包括CH₃F、O₂和Ar，CH₃F的流量為150sccm～200sccm，O₂的流量為20sccm～50sccm，Ar的流量為100sccm～150sccm，源射頻功率為200瓦～1000瓦，偏置射頻功率為500瓦～1000瓦，腔室壓強(qiáng)為2mtorr～10mtorr。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一鰭側(cè)墻的材料為SiN、SiCN、SiBN或SiON；所述第一初始摻雜層的材料包括具有第一導(dǎo)電離子的硅或碳硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述第一鰭側(cè)墻的厚度為2nm～10nm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，還包括：在形成第一初始摻雜層之前，在所述半導(dǎo)體襯底上形成覆蓋第一鰭部部分側(cè)壁的隔離層，所述隔離層暴露出的第一鰭部包括第一置換區(qū)；

形成所述第一鰭側(cè)墻和第一初始摻雜層的方法包括：在第一置換區(qū)側(cè)壁形成位于隔離層表面的第一鰭側(cè)墻；刻蝕去除第一鰭側(cè)墻覆蓋的第一置換區(qū)，在第一鰭部中形成第一初始置換槽，在第一鰭部寬度方向上，第一初始置換槽的兩側(cè)側(cè)壁分別具有第一鰭側(cè)墻；刻蝕第一初始置換槽內(nèi)壁的第一鰭側(cè)墻以增大第一初始置換槽在第一鰭部寬度方向上的尺寸，形成第一置換槽；在第一置換槽中形成所述第一初始摻雜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述凹陷在第一鰭部寬度方向上的剖面內(nèi)，所述凹陷具有底點(diǎn)和位于底點(diǎn)兩側(cè)的頂點(diǎn)，頂點(diǎn)的高度至底點(diǎn)的高度逐漸降低。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述頂點(diǎn)至底點(diǎn)的高度占據(jù)第一初始摻雜層厚度的20％～100％。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，所述頂點(diǎn)至所述底點(diǎn)的連線呈直線；或者，所述頂點(diǎn)至所述底點(diǎn)的連線呈弧線，所弧線向第一摻雜層內(nèi)凹進(jìn)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的形成方法，其特征在于，還包括：在形成所述第一初始摻雜層之前，在半導(dǎo)體襯底上形成橫跨第一鰭部的第一柵極結(jié)構(gòu)，第一柵極結(jié)構(gòu)覆蓋第一鰭部的部分頂部表面和部分側(cè)壁表面；第一初始摻雜層分別位于第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部中；形成第一摻雜層后，第一摻雜層分別位于第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第一鰭部中。