[發明專利]硫化物固體電解質的制造方法有效
| 申請號： | 201710937356.1 | 申請日： | 2017-10-11 |
| 公開（公告）號： | CN108232308B | 公開（公告）日： | 2021-04-13 |
| 發明（設計）人： | 巖崎正博;柳拓男 | 申請（專利權）人： | 豐田自動車株式會社 |
| 主分類號： | H01M10/058 | 分類號： | H01M10/058;H01M10/0562 |
| 代理公司： | 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038 | 代理人： | 陳冠欽 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硫化物 固體 電解質 制造 方法 | ||
1.硫化物固體電解質的制造方法，其具有：
由電解質原料進行非晶化從而合成硫化物固體電解質材料的合成工序；和
在所述合成工序后，對所述硫化物固體電解質材料在可與單質硫化學鍵合的氣體流通中、在所述單質硫的熔點以上且低于230℃的溫度下進行加熱的氣體流通加熱工序。
2.權利要求1所述的硫化物固體電解質的制造方法，其中，所述氣體是H2S氣體。
3.權利要求1或2所述的硫化物固體電解質的制造方法，其還具有：用有機溶劑對所述氣體流通加熱工序后得到的硫化物固體電解質進行洗凈的洗凈工序。
4.權利要求1或2所述的硫化物固體電解質的制造方法，其中，所述電解質原料至少包含選自P2S3、P2S5、SiS2、GeS2、B2S3和Al2S3的一種以上的硫化物和Li2S，
在所述合成工序前具有對所述硫化物實施熱處理的熱處理工序。
5.權利要求3所述的硫化物固體電解質的制造方法，其中，所述電解質原料至少包含選自P2S3、P2S5、SiS2、GeS2、B2S3和Al2S3的一種以上的硫化物和Li2S，
在所述合成工序前具有對所述硫化物實施熱處理的熱處理工序。
6.權利要求4所述的硫化物固體電解質的制造方法，其中，所述電解質原料至少包含Li2S和P2S5。
7.權利要求5所述的硫化物固體電解質的制造方法，其中，所述電解質原料至少包含Li2S和P2S5。
8.權利要求1、2、5～7的任一項所述的硫化物固體電解質的制造方法，其具有：在所述合成工序后且在所述氣體流通加熱工序前，對所述硫化物固體電解質材料進行微粒化的微粒化工序。
9.權利要求3所述的硫化物固體電解質的制造方法，其具有：在所述合成工序后且在所述氣體流通加熱工序前，對所述硫化物固體電解質材料進行微粒化的微粒化工序。
10.權利要求4所述的硫化物固體電解質的制造方法，其具有：在所述合成工序后且在所述氣體流通加熱工序前，對所述硫化物固體電解質材料進行微粒化的微粒化工序。
11.權利要求1、2、5～7、9、10的任一項所述的硫化物固體電解質的制造方法，其中，在所述氣體流通加熱工序中，對所述硫化物固體電解質材料在該硫化物固體電解質材料的結晶化溫度以上的溫度下進行加熱，得到為玻璃陶瓷的硫化物固體電解質。
12.權利要求3所述的硫化物固體電解質的制造方法，其中，在所述氣體流通加熱工序中，對所述硫化物固體電解質材料在該硫化物固體電解質材料的結晶化溫度以上的溫度下進行加熱，得到為玻璃陶瓷的硫化物固體電解質。
13.權利要求4所述的硫化物固體電解質的制造方法，其中，在所述氣體流通加熱工序中，對所述硫化物固體電解質材料在該硫化物固體電解質材料的結晶化溫度以上的溫度下進行加熱，得到為玻璃陶瓷的硫化物固體電解質。
14.權利要求8所述的硫化物固體電解質的制造方法，其中，在所述氣體流通加熱工序中，對所述硫化物固體電解質材料在該硫化物固體電解質材料的結晶化溫度以上的溫度下進行加熱，得到為玻璃陶瓷的硫化物固體電解質。
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