[發明專利]AMOLED顯示裝置及其驅動方法

有效

• 申請號: 201710936499.0
• 申請日: 2017-10-10
• 公開（公告）號: CN107657919B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發明（設計）人: 王振嶺
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225
• 代理公司: 44265 深圳市德力知識產權代理事務所
• 代理人: 林才桂<國際申請>=<國際公布>=<進入

本發明提供一種AMOLED顯示裝置及其驅動方法。本發明的AMOLED顯示裝置的OLED面板具有多個子像素，每一行子像素對應電性連接一OVSS走線，至少一個位于基板中心區域的子像素為偵測子像素，驅動時，利用偵測模塊得到輸入偵測子像素的電源負電壓的最大值，通信模塊接收需要顯示的畫面中的最高灰階值或最高數據信號電壓，控制模塊根據需要顯示的畫面中的最高灰階值或最高數據信號電壓、以及輸入偵測子像素的電源負電壓的最大值，從存儲模塊中存儲的查找表中查找得到對應的最小電源正電壓，并產生對應的控制信號控制電壓輸出模塊輸出對應的電源正電壓至OLED面板，能夠降低AMOLED顯示裝置的顯示功耗，同時提升AMOLED顯示裝置的顯示品質。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種AMOLED顯示裝置及其驅動方法。

背景技術

有機發光二極管(Organic Light Emitting Display，OLED)顯示裝置具有自發光、驅動電壓低、發光效率高、響應時間短、清晰度與對比度高、近180°視角、使用溫度范圍寬，可實現柔性顯示與大面積全色顯示等諸多優點，被業界公認為是最有發展潛力的顯示裝置。

OLED按照驅動方式可以分為無源驅動和有源驅動兩大類，即直接尋址和薄膜晶體管(Thin Film Transistor，TFT)矩陣尋址兩類。其中，有源驅動也稱為有源矩陣(ActiveMatrix，AM)型，AMOLED中的每個發光單元都由TFT尋址獨立控制。發光單元和TFT尋址電路組成的像素驅動電路需要通過導線對其加載電源負電壓(OVSS)進行驅動。

隨著時代及技術的進步，大尺寸、高分辨率的AMOLED顯示裝置逐漸發展起來，相應的，大尺寸AMOLED顯示裝置也需要較大尺寸的面板及較多數量的像素，面板導線長度將越來越長，導線電阻也越大。不可避免的，電源負電壓會在導線上產生IR壓降(IR Drop)，導線的電阻值使得每一個像素驅動電路獲得的電源負電壓不同。具體地，請參閱圖1，現有的一種AMOLED顯示裝置包括：基板10、設于所述基板10上的呈陣列式排布的多個子像素、以及設于所述基板上10的多條平行間隔排列的OVSS走線20，每一行子像素對應電性連接一條OVSS走線20并由對應的OVSS走線20提供電源負電壓OVSS，所述電源負電壓OVSS從位于基板10邊緣的所述OVSS走線20的兩端輸入到所述OVSS走線20中，當AMOLED顯示裝置正常顯示時，由于IR壓降的影響，電源負電壓OVSS經OVSS走線20傳輸后，位于基板10中心區域的子像素接收到的電源負電壓OVSS要大于位于基板10兩端位置的子像素接收到的電源負電壓OVSS，請參閱圖2，圖1所示的AMOLED顯示裝置的子像素包括第一薄膜晶體管T100、第二薄膜晶體管T200、電容C100、及有機發光二極管D100，第一薄膜晶體管T100的柵極接入掃描信號SCAN，源極接入數據信號DATA，漏極電性連接第二薄膜晶體管T200的柵極，第二薄膜晶體管T200的漏極接入電源正電壓OVDD，源極電性連接有機發光二極管D100的陽極，電容C100的兩端分別電性連接第二薄膜晶體T200的柵極及源極，有機發光二極管D100的陰極電性連接對應的OVSS走線20接入電源負電壓OVSS，當位于基板10中心區域的子像素接收到由于IR壓降被抬升的電源負電壓OVSS后，由于電容的耦合效應，作為驅動薄膜晶體管的第二薄膜晶體管T200柵極的電壓會有相同的電壓抬升，使驅動薄膜晶體管的欲夾斷點電壓軌跡出現偏移。現有技術中，驅動薄膜晶體管在面板顯示時需要處于其特性曲線中的飽和區，以使流過驅動薄膜晶體管及有機發光二極管D100的電流保持穩定，在使驅動薄膜晶體管位于其特性曲線中的飽和區的前提下降低其漏源極電壓差，也即降低電源正電壓OVDD的電壓值，能夠降低AMOLED顯示裝置的驅動功耗，通常的做法為，根據待輸出畫面中最大灰階值或最大數據信號電壓值所對應的驅動薄膜晶體管的最小漏源極電壓差來調整電源正電壓OVDD，并沒有考慮由于IR壓降導致的電源負電壓OVSS的電壓抬升，則在調整電源正電壓OVDD時容易使位于基板10中心區域的子像素的驅動薄膜晶體管在顯示時處于其特性曲線的線性區，進而出現顯示畫面不均勻的現象。

發明內容