[發(fā)明專利]一種生成納米晶界高電阻率膜降低鎳鋅鐵氧體功率損耗的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710936392.6
• 申請日: 2017-10-10
• 公開（公告）號(hào): CN107778001B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)密;金佳瑩;姜銀珠;霍驊鑫;包大新;杜陽忠;魏中華
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江大學(xué);橫店集團(tuán)東磁股份有限公司
• 主分類號(hào): C04B35/30
• 分類號(hào): C04B35/30;C04B35/626;C04B35/64;H01F1/36;H01F41/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務(wù)所有限公司 33200
• 代理人: 鄭海峰

1.一種生成納米晶界高電阻率膜降低鎳鋅鐵氧體功率損耗的方法，其特征在于包括如下步驟：

（1）一次配料

按化學(xué)式，其中：x=0.2~0.8，y=0.2~0.8，計(jì)算得到主成分各含Ni、Zn、Fe化合物的質(zhì)量百分?jǐn)?shù)進(jìn)行配料；

（2）一次球磨

將主成分均勻混合，將所稱取的主成分放入球磨機(jī)，球磨1~5h，得到一次球磨粉料;

（3）預(yù)燒結(jié)

將一次球磨后得到的粉料，在600~1350℃的預(yù)燒溫度下保溫1~4小時(shí)，得到部分已經(jīng)形成尖晶石結(jié)構(gòu)的預(yù)燒粉料；

（4）二次配料

在預(yù)燒粉料中加入一種或多種高電阻低熔點(diǎn)氧化物作為添加劑，所有添加的高電阻低熔點(diǎn)氧化物的含量按主成分的總量計(jì)為100~20000ppm；所述的添加劑相比未加添加劑的鎳鋅鐵氧體主相，電阻率較大，熔點(diǎn)較低；所述的高電阻低熔點(diǎn)氧化物選自V₂O₅，Bi₂O₃, B₂O₃,Na₂O, Nb₂O₅, ZrO₂, MoO₂, CaO, SiO₂, InO₂, TiO₂,CuO中的一種或多種; 所述的步驟（4）添加的高電阻低熔點(diǎn)氧化物為納米氧化物，顆粒尺寸為10~500納米；

（5）二次球磨

將二次配料后得到的粉料均勻混合后放入球磨機(jī)，球磨至粉料粒徑0.8~2μm，得到二次球磨粉料；通過球磨控制鐵氧體粉體燒結(jié)后的直徑達(dá)到單疇尺寸以下，

（6）造粒

根據(jù)二次球磨后的粉料總重量，加入聚乙烯醇水溶液，其中聚乙烯醇的加入量為粉料總質(zhì)量的3 wt%~10 wt%，研磨過篩成顆粒；

（7）壓制成型

將造粒所得的顆粒料壓制成型為生坯產(chǎn)品，生坯密度要達(dá)到2.6~3.6;

（8）燒結(jié)

燒結(jié)溫度為900~1350℃，保溫0.5~8h，燒結(jié)過程中氣氛為空氣，冷卻出爐得到低損耗鎳鋅軟磁鐵氧體材料。