[發明專利]一種倒裝共晶LED陣列的共晶效果評估方法

有效

• 申請號: 201710935969.1
• 申請日: 2017-10-10
• 公開（公告）號: CN109659243B
• 公開（公告）日: 2020-07-31
• 發明（設計）人: 郭旺;張衛峰;黃集權;鄧種華;劉著光;黃秋鳳;陳劍
• 申請（專利權）人: 中國科學院福建物質結構研究所
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66
• 代理公司: 北京知元同創知識產權代理事務所(普通合伙) 11535
• 代理人: 劉元霞;謝怡婷

1.一種倒裝共晶LED陣列的共晶效果評估方法，其特征在于，所述倒裝共晶LED陣列包括M×N個倒裝共晶LED，所述M×N個倒裝共晶LED中的M×N個芯片構成M行N列的陣列結構，其中，M≥1，N≥1，且M和N不同時為1；所述方法包括如下步驟：

額定功率下，測試倒裝共晶LED陣列中標準倒裝共晶LED中的芯片表面的溫度T_標；同樣條件下，測試倒裝共晶LED陣列中待測倒裝共晶LED中的芯片表面的溫度T_MN；其中，標準倒裝共晶LED中的芯片簡記為標準芯片，待測倒裝共晶LED中的芯片簡記為待測芯片；對比T_標和T_MN，判斷倒裝共晶LED陣列的共晶效果。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述標準芯片與待測芯片在同一倒裝共晶LED陣列中，或者在不同倒裝共晶LED陣列中。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，標準芯片所在的倒裝共晶LED陣列和待測芯片所在的倒裝共晶LED陣列采用相同的工藝制備得到。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述倒裝共晶LED陣列中的每個倒裝共晶LED采用相同的工藝制備得到。

5.根據權利要求1-4任一項所述的方法，其特征在于，通過下述方法確定標準芯片：將倒裝共晶LED陣列中每個倒裝共晶LED中的芯片進行X-ray探傷檢測或超聲波探傷檢測，選擇倒裝共晶LED中芯片和基板之間的共晶界面無氣泡的倒裝共晶LED作為標準倒裝共晶LED，該標準倒裝共晶LED中的芯片即標準芯片。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述標準芯片和待測芯片的幾何尺寸相同，光電參數相同或相近。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在額定功率下測試倒裝共晶LED陣列中每個倒裝共晶LED中的芯片表面的溫度。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，采用紅外熱成像儀測試芯片表面的溫度。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，采用紅外熱成像儀測試芯片表面的測溫點的溫度。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述陣列中每個倒裝共晶LED共用一塊基板。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述基板為MCPCB基板或陶瓷基板。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述陶瓷基板為陶瓷散熱基板。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步驟：

額定功率下，若倒裝共晶LED陣列中的倒裝共晶LED全亮，則點亮5-20s；

測試該倒裝共晶LED陣列中每個倒裝共晶LED中的芯片的表面溫度T_MN，即待測芯片的表面溫度T_MN，然后斷開電路；

對比每個待測芯片的表面溫度T_MN和標準芯片的表面溫度T_標的差值，如果|T_標-T_MN|≤10℃，則說明該待測芯片所在的倒裝共晶LED的共晶效果好；若|T_標-T_MN|＞10℃，則說明該待測芯片所在的倒裝共晶LED的共晶效果差；

整體分析M×N個T_MN之間的一致性，若95％以上的待測芯片均滿足|T_標-T_MN|≤10℃，則表明該倒裝共晶LED陣列的共晶效果符合要求，可以用于進一步的封裝處理。