[發明專利]低能量背散射電子探測器有效
| 申請號： | 201710935508.4 | 申請日： | 2017-10-10 |
| 公開（公告）號： | CN107917924B | 公開（公告）日： | 2020-01-10 |
| 發明（設計）人： | 李國慶;韓華;馬宏圖;陳曦 | 申請（專利權）人： | 中國科學院自動化研究所 |
| 主分類號： | G01N23/203 | 分類號： | G01N23/203 |
| 代理公司： | 11482 北京瀚仁知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人： | 宋寶庫;王世超 |
| 地址： | 100080 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 覆膜 內圈 背散射電子探測器 低能量 半導體探測 探測器方向 成分信息 穿透能力 基底表面 探測效率 形貌信息 周向設置 石墨烯 形貌像 探測器 基底 探測 協同 | ||
【權利要求書】：
1.一種低能量背散射電子探測器，包括半導體探測基底和設置在所述半導體探測基底表面的覆膜，其特征在于，所述覆膜的材料為：鈹、碳或石墨烯，或者這三種材料的任意組合。
2.根據權利要求1所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述覆膜的厚度≤10nm。
3.根據權利要求2所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述覆膜的厚度為5-10nm。
4.根據權利要求2所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述覆膜的厚度<5nm。
5.根據權利要求1-4中任一項所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述低能量背散射電子探測器包括第一內圈部分和第二外圈部分。
6.根據權利要求5所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述第一內圈部分為環形，所述第二外圈部分包括繞所述第一內圈部分均勻地周向設置的多個子部分。
7.根據權利要求6所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述第二外圈部分包括兩個對稱設置的半環形子部分。
8.根據權利要求6所述的低能量背散射電子探測器，其特征在于，所述第二外圈部分包括四個對稱設置的四分之一環形子部分。
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