[發明專利]溫度控制裝置、溫度控制方法以及載置臺有效
| 申請號: | 201710935336.0 | 申請日: | 2017-10-10 |
| 公開(公告)號: | CN107919301B | 公開(公告)日: | 2022-05-17 |
| 發明(設計)人: | 小泉克之;金子健吾 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 溫度 控制 裝置 方法 以及 載置臺 | ||
1.一種溫度控制裝置,其特征在于,具備:
載置臺,其用于載置被處理基板;
加熱器,在所述載置臺的內部的多個分割區域中的各個分割區域分別嵌入有多個該加熱器,該各個分割區域是將所述載置臺的上表面分割為多個區域而得到的;以及
第一控制部和多個控制塊,其中,針對所述多個分割區域中的每個分割區域設置有一個所述控制塊,并且每個所述控制塊具有電流計以及連接到所述第一控制部的電流控制器,所述電流計用于測定流過被嵌入到所述分割區域的多個加熱器的電流的合計值,所述第一控制部針對所述多個分割區域中的每個分割區域,基于所述電流計所測定的所述合計值,來判定被嵌入到每個所述分割區域的多個加熱器中的一部分加熱器有無斷線,
其中,在所述多個分割區域中的各個所述分割區域中被嵌入的多個加熱器并聯連接,
響應于所述第一控制部針對所述多個分割區域中的各個所述分割區域判定為被嵌入到該分割區域的多個加熱器中的一部分加熱器發生了斷線,所述電流控制器將流過被嵌入到所述多個加熱器中的一部分加熱器發生了斷線的分割區域內的每一個加熱器的斷線電流控制為比在被嵌入到所述分割區域內的所有加熱器都沒有發生斷線的情況下流過每一個加熱器的正常電流多。
2.根據權利要求1所述的溫度控制裝置,其特征在于,
在所述多個分割區域中的各個所述分割區域嵌入有并聯連接的兩個加熱器,
所述第一控制部針對每個所述分割區域,在流過被嵌入到所述分割區域的兩個加熱器的電流的子合計值小于第一閾值且為比所述第一閾值小的第二閾值以上的情況下,判定為被嵌入到該分割區域的所述兩個加熱器中的一個加熱器發生了斷線,其中,該第一閾值小于在所述兩個加熱器都沒有發生斷線的情況下流過被嵌入到所述分割區域的兩個加熱器的電流的子合計值。
3.根據權利要求2所述的溫度控制裝置,其特征在于,
所述加熱器是電阻加熱器,
所述第一閾值是對在所述兩個加熱器都沒有發生斷線的情況下流過被嵌入到所述分割區域的兩個加熱器的電流的子合計值的二分之一倍的值加上第一規定的余量所得到的值,
所述第二閾值是對0加上第二規定的余量所得到的值。
4.根據權利要求3所述的溫度控制裝置,其特征在于,
響應于所述第一控制部針對所述多個分割區域中的各個所述分割區域判定為被嵌入到該分割區域的兩個加熱器中的一個加熱器發生了斷線所述電流控制器控制流過被嵌入到所述兩個加熱器中的一個加熱器發生了斷線的分割區域內的所述兩個加熱器中的另一個加熱器的電流使其成為在被嵌入到所述分割區域內的所述兩個加熱器都沒有發生斷線的情況下流過每一個加熱器的電流的2倍。
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的溫度控制裝置,其特征在于,
所述載置臺包含層疊的多個絕緣層,
被嵌入到所述分割區域的多個加熱器中的各個加熱器配置于所述多個絕緣層中的一個絕緣層的不同的面。
6.根據權利要求1至4中的任一項所述的溫度控制裝置,其特征在于,
所述載置臺包含層疊的多個絕緣層,
被嵌入到所述分割區域的多個加熱器中的各個加熱器配置于所述多個絕緣層中的一個絕緣層的同一面。
7.一種溫度控制方法,對被載置在載置臺上的被處理基板的溫度進行控制,其中,針對所述載置臺的內部的多個分割區域中的各個分割區域設置有一個控制塊,并且每個所述控制塊具有電流計以及電流控制器,所述各個分割區域是將所述載置臺的上表面分割為多個區域而得到的,所述溫度控制方法的特征在于,包括以下步驟:
利用所述電流計測定流過針對每個所述分割區域分別嵌入且并聯連接的多個加熱器的電流的合計值;
針對所述多個分割區域中的各個分割區域,基于所述電流計所測定的所述合計值,來針對每個所述分割區域判定被嵌入的所述多個加熱器中的一部分加熱器有無斷線;以及
響應于針對所述多個分割區域中的各個所述分割區域判定為被嵌入到該分割區域的所述多個加熱器中的一部分加熱器發生了斷線,利用所述電流控制器將流過被嵌入到所述多個加熱器中的一部分加熱器發生了斷線的分割區域內的每一個加熱器的電流控制為比在被嵌入到所述分割區域內的所有加熱器都沒有發生斷線的情況下流過每一個加熱器的正常電流多。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





