[發明專利]一種LED芯片及其制作方法

有效

• 申請號: 201710933788.5
• 申請日: 2017-10-10
• 公開（公告）號: CN107611236B
• 公開（公告）日: 2020-05-19
• 發明（設計）人: 艾國齊
• 申請（專利權）人: 佛山市國星半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 胡楓

本發明提供的一種LED芯片的制作方法，包括提供一襯底，在所述襯底上形成外延層，其中，所述外延層包括依次設于所述襯底表面的第一半導體層、有源層和第二半導體層，對所述外延層進行蝕刻，刻蝕至第一半導體層并形成切割道，在所述第二半導體層表面形成導電擴展層，對所述導電擴展層進行濕法蝕刻，形成第一孔洞，對所述第一孔洞進行干法蝕刻，刻蝕至第二半導體層表面并形成第二孔洞，在所述第一半導體層上形成第一電極，在所述第一孔洞和第二孔洞內形成第二電極，形成LED晶園，通過增加電極與導電擴展層的接觸面積，從而增加電極粘附力，操作簡單、便于大規模生產，且無需大型昂貴設備，降低生產成本。

技術領域

本發明涉及一種發光二極管技術領域，尤其涉及一種LED芯片及其制作方法。

背景技術

LED(Light Emitting Diode，發光二極管)是一種利用載流子復合時釋放能量形成發光的半導體器件，LED芯片具有耗電低、色度純、壽命長、體積小、響應時間快、節能環保等諸多優勢。

目前，LED芯片在制作過程中，為了增強電極與芯片的粘附能力，一般對電極進行歐姆接觸。但LED芯片在使用過程中，產生大量的熱量，破壞歐姆接觸，從而影響電極與芯片之間的粘附能力，進而降低LED芯片的光電性能，出現電壓過高、LED芯片燒毀等現象，降低LED芯片的可靠性。

此外，LED芯片在制作過程中，使用的材料、制作工藝，也會影響電極與芯片的粘附能力。

發明內容

本發明所要解決的技術問題在于，提供一種LED芯片及其制作方法，改變導電擴展層的刻蝕方法和刻蝕的形狀，增加電極與導電擴展層之間的接觸面積，從而提高電極的粘附力，提高LED芯片的可靠性。

為了解決上述技術問題，本發明提供了一種LED芯片的制作方法，包括：

提供一襯底；

在所述襯底上形成外延層，其中，所述外延層包括依次設于所述襯底表面的第一半導體層、有源層和第二半導體層；

對所述外延層進行蝕刻，刻蝕至第一半導體層并形成切割道；

在所述第二半導體層表面形成導電擴展層；

對所述導電擴展層進行濕法蝕刻，形成第一孔洞；

對所述第一孔洞進行干法蝕刻，刻蝕至第二半導體層表面并形成第二孔洞；

在所述第一半導體層上形成第一電極，在所述第一孔洞和第二孔洞內形成第二電極，形成LED晶園。

作為上述方案的改進，所述濕法蝕刻的方法包括：采用FeCl₃和HCl的混合溶液對導電擴展層進行蝕刻，蝕刻時間為5-60秒。

作為上述方案的改進，所述干法蝕刻的方法包括：采用ICP刻蝕工藝對第一孔洞進行蝕刻，蝕刻時間為10-60min。

作為上述方案的改進，所述第一孔洞的形狀為倒梯形，所述第二孔洞的形狀為梯形。

作為上述方案的改進，所述導電擴展層的厚度為

作為上述方案的改進，所述導電擴展層的材質為銦錫氧化物，其中，銦錫氧化物中銦和錫的比例為70-99:1-30。

作為上述方案的改進，采用電子束蒸發工藝在第二半導體層表面蒸鍍一層導電擴展層，其中，蒸鍍溫度為200-300℃，氧氣流量為5-20sccm，蒸鍍腔體真空度為3.0-10.0E-5，蒸鍍時間為100-300min。

作為上述方案的改進，在形成第一電極和第二電極之后，還包括以下步驟：

在所述LED晶園表面形成鈍化層。

作為上述方案的改進，所述鈍化層由氧化硅、氮化硅和氧化鋁中的一種或幾種制成。