[發(fā)明專利]閃存存儲單元的雙數(shù)據(jù)讀取驗證方法和設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710933662.8 | 申請日： | 2017-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN109637575B | 公開（公告）日： | 2022-03-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李婷;王欣;霍宗亮;葉甜春 | 申請（專利權(quán)）人： | 中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | G11C16/34 | 分類號： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 中科專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 趙偉 |
| 地址： | 100029 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 閃存 存儲 單元 雙數(shù) 讀取 驗證 方法 設(shè)備 | ||
本發(fā)明實施例提出了一種雙數(shù)據(jù)讀取驗證的方法和設(shè)備。所述方法主要用于閃存存儲單元的編程驗證操作中，以快速找到高閾值存儲單元和低閾值存儲單元。在后續(xù)的編程過程中，對高閾值存儲單元和低閾值存儲單元采用相同的字線電壓、不同的編程位線電壓，對高閾值存儲單元采用的位線電壓大于對低閾值存儲單元采用的位線電壓，從而減小高閾值存儲單元的閾值變化，使其能夠與低閾值存儲單元同步地達到編程態(tài)(P態(tài))。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及閃存存儲單元領(lǐng)域，更具體地涉及閃存存儲單元的雙數(shù) 據(jù)讀取驗證方法和設(shè)備。
背景技術(shù)
圖1示出了閃存存儲單元件的閾值變化示意圖。如圖1所示，將擦 除態(tài)(E態(tài))器件編程到編程態(tài)(P態(tài))，在閃存存儲單元件的字線上施 加以增量步進編程脈沖ΔISPP為臺階的電壓，在閃存存儲單元件的位線 上施加位線電壓(Vbl)來編程。對器件編程的ΔISPP越大，編程時間 越短，但是越不精確(使P態(tài)變寬)；ΔISPP越小，所需的編程步數(shù)就 越多，編程時間就越長，但是編程的精度也越高。
如果想要同時獲得高速度和高精度，需要在保證高的ΔISPP(也就 是保證了速度)的同時，通過調(diào)整特殊區(qū)域器件的位線電壓(Vbl)來實 現(xiàn)高精度。圖2示出了根據(jù)存儲單元件的閾值將存儲單元件分為高閾值 存儲單元(HVT)和低閾值存儲單元(LVT)。高閾值存儲單元指的是閾值 分布在小于編程態(tài)、但接近編程態(tài)的閾值電壓的區(qū)域的存儲單元。低閾值存儲單元(LVT區(qū)域單元)指的是閾值分布小于高閾值存儲單元的閾 值電壓的區(qū)域的存儲單元。為此，需要首先區(qū)分出HVT器件和LVT器件， 然后對HVT器件和LVT器件采用不同的編程條件。HVT器件和LVT器件的編 程條件的共同點是在字線上加一樣的ISPP電壓，不同之處在與在位線上 采用不同的位線電壓，即對于HVT器件使用高的位線電壓Vbl，而對于 LVT器件使用低的位線電壓Vbl。在進入編程狀態(tài)后，首先對器件進行編 程；然后對編程結(jié)果進行驗證，如果驗證通過則結(jié)束編程；如果驗證沒 有通過，則將器件柵壓增加增量步進編程脈沖ΔISPP后，再對器件進行 編程。
為了區(qū)分HVT器件和LVT器件，采用兩次單數(shù)據(jù)驗證的操作。即在讀 操作期間，將存儲單元的柵端設(shè)置成通過VR位線電壓和PVR位線電壓讀 取兩次。由于使用兩次單數(shù)據(jù)驗證方法，需要兩次讀取操作來判別出HVT器件和LVT器件，需要花費兩次讀取的時間，故而時間效率不高。
CN102298966A示出了現(xiàn)有編程條件的兩次單數(shù)據(jù)驗證方法。為了區(qū) 分HVT器件和LVT器件，CN102298966A采用了兩次單數(shù)據(jù)驗證的操作。圖 3示出了兩次單數(shù)據(jù)驗證的工作原理圖，以及圖4示出了兩次單數(shù)據(jù)驗 證方法的流程圖。即在讀操作期間，將存儲單元的柵端設(shè)置成通過VR 位線電壓和PVR位線電壓讀取兩次。假定在器件的VTH小于讀取時的柵 壓時，所讀出的數(shù)據(jù)是1：那么如果D1＝0，則器件在編程區(qū)P區(qū)；如果 D1＝1且D2＝0，則器件在HVT態(tài)；以及如果D1＝1并且D2＝1，則器件在LVT態(tài)。由于現(xiàn)有的技術(shù)中使用兩次單數(shù)據(jù)驗證方法，需要兩次讀取操作來 判別出HVT器件和LVT器件，需要花費兩次讀取的時間，故而時間效率不 高。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出了一種區(qū)分高閾值器件和低閾 值器件的方法，即提出了一種閃存存儲單元的雙數(shù)據(jù)讀取驗證方法和設(shè) 備。
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