[發明專利]用于進行等離子體化學氣相沉積工藝的方法和設備

有效

• 申請號: 201710931629.1
• 申請日: 2017-10-09
• 公開（公告）號: CN107893217B
• 公開（公告）日: 2021-04-27
• 發明（設計）人: M·J·N·范·斯特勞倫;I·米莉瑟維奇;G·克拉普斯浩斯;T·布勒爾斯
• 申請（專利權）人: 德拉克通信科技公司
• 主分類號: C23C16/513
• 分類號: C23C16/513
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

1.一種用于進行等離子體化學氣相沉積工藝的方法，所述方法包括以下步驟：

提供設備，所述設備包括大致為圓柱形的諧振器，所述諧振器設置有圓柱形外壁和同軸的圓柱形內壁，在所述圓柱形外壁和所述圓柱形內壁之間限定諧振腔，所述諧振腔能夠以工作頻率進行工作并且繞所述圓柱形外壁和所述圓柱形內壁的圓柱軸在圓周方向上延伸，所述圓柱形外壁包括能夠連接至輸入波導的輸入端口，以及所述圓柱形內壁包括繞所述圓柱軸在圓周方向上延伸的狹縫部；以及

使所述設備以工作頻率進行工作，使得限定所述狹縫部的孔徑的最大尺寸小于所述工作頻率的波長的一半。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，所述設備同軸地包圍基管，其中所述基管的外直徑大于所述工作頻率的波長的1/3。

3.一種用于進行等離子體化學氣相沉積工藝的設備，所述設備包括大致為圓柱形的諧振器，所述諧振器設置有圓柱形外壁和同軸的圓柱形內壁，在所述圓柱形外壁和所述圓柱形內壁之間限定諧振腔，所述諧振腔能夠以工作頻率進行工作并且繞所述圓柱形外壁和所述圓柱形內壁的圓柱軸在圓周方向上延伸，其中，所述圓柱形外壁包括能夠連接至輸入波導的輸入端口，以及所述圓柱形內壁包括繞所述圓柱軸在圓周方向上延伸的狹縫部，其中，限定所述狹縫部的孔徑的最大尺寸小于所述工作頻率的波長的一半。

4.根據權利要求3所述的設備，其中，所述狹縫部的圓周尺寸小于所述工作頻率的波長的一半。

5.根據權利要求3或4所述的設備，其中，所述狹縫部在環繞所述圓柱軸的兩個狹縫線上錯開。

6.根據權利要求3或4所述的設備，其中，所述狹縫部在圓柱方向上相對于彼此偏移。

7.根據權利要求3或4所述的設備，其中，所述狹縫部在圓柱方向上的寬度尺寸小于所述狹縫部的圓周尺寸。

8.根據權利要求3或4所述的設備，其中，所述圓柱形內壁包括兩個或四個狹縫部。

9.根據權利要求3或4所述的設備，其中，所述狹縫部大致均勻地分布在所述圓周方向上。

10.根據權利要求3或4所述的設備，其中，包括位于相對于所述圓柱軸呈對稱的位置的至少一對狹縫部。

11.根據權利要求3或4所述的設備，其中，至少一個狹縫部的截面面積不同于其它狹縫部的截面面積。

12.根據權利要求3或4所述的設備，其中，所述諧振腔在圓柱方向上的長度根據到所述圓柱軸的徑向距離而改變。

13.根據權利要求3或4所述的設備，其中，還包括微波發生器，所述微波發生器被配置為產生所述工作頻率的微波。

14.根據權利要求3或4所述的設備，其中，限定所述狹縫部的孔徑的最大尺寸是線性尺寸。