[發明專利]一種利用LRH的煅燒記憶性制備片狀稀土氧化物薄膜的方法在審
| 申請號： | 201710930982.8 | 申請日： | 2017-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN107829120A | 公開（公告）日： | 2018-03-23 |
| 發明（設計）人： | 武曉鸝;黃俊杰;尹凱;王瑤瑤;陳璐;楊怡萱;趙周橋;張鐵 | 申請（專利權）人： | 桂林理工大學 |
| 主分類號： | C25D9/08 | 分類號： | C25D9/08;C01F17/00 |
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| 地址： | 541004 廣西壯*** | 國省代碼： | 廣西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 利用 lrh 煅燒 記憶 制備 片狀 稀土 氧化物 薄膜 方法 | ||
1.一種利用LRH的煅燒記憶性制備片狀稀土氧化物薄膜的方法，其特征在于具體步驟為：
(1)將La(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O或者Gd(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O或者Y(NO3)3·6H2O和Ln(NO3)3·6H2O溶解于去離子水中配制成稀土離子總濃度為0.005～0.5mol/L的稀土離子溶液，然后加入添加劑，其中添加劑的加入量與稀土離子的摩爾比為1～50:1，混合均勻后獲得電沉積溶液；(2)將步驟(1)制得的電沉積溶液置于水浴中，攪拌使電沉積溶液的溫度達到5～80℃，獲得備用電沉積溶液；
(3)以透明導電玻璃或者金屬材料或者碳材料為工作電極即陰極，Pt網作為對電極即陽極，Ag/AgCl/Cl-電極作為參比電極，組成三電極體系；
(4)將步驟(3)組成的三電極體系插入步驟(2)獲得的備用電沉積溶液中，設置沉積電壓為-0.8～-1.3V，沉積時間為3min～3h，在工作電極上沉積一層電沉積薄膜；
(5)將步驟(4)制得的電沉積薄膜分別用去離子水、無水乙醇沖洗，然后置于30～80℃的鼓風干燥箱中干燥5min～24h，即制得LRH稀土層狀氫氧化物薄膜；
(6)將步驟(5)干燥好的電沉積薄膜置于通有氮氣的管式爐中進行熱處理，設置升溫速率為1～10℃/min，升溫至500～700℃保溫0.5～10h，即制得片狀稀土氧化物薄膜；
所述Ln為Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb中的任意一種或者兩種；
所述添加劑為NH4NO3、NaNO3、KNO3中的任意一種；
所述透明導電玻璃為一側表面鍍有ITO或者FTO或者AZO層的玻璃；
所述金屬材料為Cu、Ag，Ni、Fe、不銹鋼中的任意一種。
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