[發明專利]晶片堆疊的組裝有效
| 申請號: | 201710929068.1 | 申請日: | 2013-05-15 |
| 公開(公告)號: | CN107845650B | 公開(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發明(設計)人: | 哈特穆特·魯德曼 | 申請(專利權)人: | 赫普塔岡微光有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L23/544;H01L25/075;H01L25/16;H01L33/58 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國;吳啟超 |
| 地址: | 新加坡新*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶片 堆疊 組裝 | ||
1.一種形成晶片堆疊的方法,所述方法包含:
提供包含第一晶片和第二晶片的子堆疊,所述第一晶片和第二晶片中的每一個晶片具有各自的上表面和下表面,所述子堆疊包括在所述第一晶片的所述上表面與所述第二晶片的所述下表面之間的界面處的第一熱固化黏合劑;
將第三晶片放置在所述第二晶片的所述上表面上,所述第三晶片具有上表面和下表面,其中第二熱固化黏合劑存在于所述第二晶片的所述上表面與所述第三晶片的所述下表面之間的界面處;
在所述第三晶片的所述上表面的方向上提供紫外(UV)輻射以固化在所述第二晶片中的開口中且與所述第三晶片的部分接觸的UV固化黏合劑,以在離散位置處將所述第三晶片接合至所述子堆疊;及
隨后加熱所述第三晶片和所述子堆疊以固化所述第一及第二熱固化黏合劑,
其中所述第一晶片包括安裝于所述第一晶片的上表面上的發光元件及光檢測元件陣列,且其中所述第三晶片包括光學特征結構陣列。
2.一種形成晶片堆疊的方法,所述方法包含:
提供包含第一晶片和第二晶片的子堆疊,所述第一晶片和第二晶片中的每一個晶片具有各自的上表面和下表面,所述子堆疊包括在所述第一晶片的所述上表面與所述第二晶片的所述下表面之間的界面處的第一熱固化黏合劑;
將第三晶片放置在所述第二晶片的所述上表面上,所述第三晶片具有上表面和下表面,其中第二熱固化黏合劑存在于所述第二晶片的所述上表面與所述第三晶片的所述下表面之間的界面處;
在所述第三晶片的所述上表面的方向上提供紫外(UV)輻射以固化在所述第二晶片中的開口中且與所述第三晶片的部分接觸的UV固化黏合劑,以在離散位置處將所述第三晶片接合至所述子堆疊;及
隨后加熱所述第三晶片和所述子堆疊以固化所述第一及第二熱固化黏合劑,
其中所述第一晶片包括光學特征結構陣列,且其中所述第三晶片包括安裝于所述第三晶片的上表面上的發光元件及光檢測元件陣列。
3.一種制造光電模塊的晶片級方法,所述方法包含:
提供包含襯底晶片和襯墊晶片的子堆疊,襯底晶片和襯墊晶片中的每一個晶片具有各自的上表面和下表面,其中所述襯底晶片具有安裝于所述襯底晶片的上表面上的發光元件及光檢測元件陣列,所述發光元件及光檢測元件中的每一個元件裝配在所述襯墊晶片中的各個開口內,且所述子堆疊包括在所述襯底晶片的所述上表面與所述襯墊晶片的所述下表面之間的界面處的第一熱固化黏合劑;
在掩模對準器中將光學晶片與所述子堆疊對準,所述光學晶片具有上表面和下表面,且進一步包括光學特征結構陣列;
將所述光學晶片放置在所述子堆疊上以使得所述光學晶片的所述下表面在所述襯墊晶片的所述上表面上,其中第二熱固化黏合劑存在于所述襯墊晶片的所述上表面與所述光學晶片的所述下表面之間的界面處;
在所述光學晶片的所述上表面的方向上提供紫外(UV)輻射以固化在所述襯墊晶片中的開口中且與所述光學晶片的部分接觸的UV固化黏合劑,以在離散位置處將所述光學晶片接合至所述子堆疊;
隨后將附接至所述子堆疊的所述光學晶片移動至另一位置;及
隨后加熱附接至所述子堆疊的所述光學晶片以固化所述第一及第二熱固化黏合劑。
4.如權利要求3所述的方法,其中所述襯墊晶片中的所述開口位于所述襯墊晶片的周邊附近。
5.如權利要求4所述的方法,其中所述襯墊晶片中的所述開口中的每一個開口為自所述襯墊晶片的所述上表面延伸至所述襯墊晶片的下表面的通孔,其中所述UV固化黏合劑實質上填充所述開口。
6.如權利要求4所述的方法,其中所述紫外(UV)輻射通過穿過所述光學晶片中的UV透明窗口到達所述UV固化黏合劑,其中所述窗口實質上與所述襯墊晶片中的所述開口對準。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





