[發(fā)明專利]QDCF、其加工方法及應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710928284.4
• 申請日: 2017-10-09
• 公開（公告）號: CN107490817A
• 公開（公告）日: 2017-12-19
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 岳春波;宋志成;劉振國;劉衛(wèi)東
• 申請（專利權(quán)）人: 青島海信電器股份有限公司
• 主分類號: G02B5/22
• 分類號: G02B5/22;G03F7/20
• 代理公司: 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11363
• 代理人: 逯長明,許偉群

技術(shù)領(lǐng)域

本申請涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種QDCF、其加工方法及應(yīng)用。

背景技術(shù)

QDCF(Quantum Dots Color Filter，量子點彩色濾光片)通常被應(yīng)用于顯示屏。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中一種典型的QDCF的基本結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，QDCF包括基板本體1、黑矩陣2以及像素層3，黑矩陣2和像素層3組成網(wǎng)格狀結(jié)構(gòu)覆蓋在基板本體1上，黑矩陣2由黑矩陣材料制成，像素層3由量子點材料制成，量子點材料中包括發(fā)光量子點，發(fā)光量子點用以吸收激發(fā)光藍光進行光的轉(zhuǎn)化。黑矩陣2為承載像素層3的網(wǎng)格狀骨架，量子點材料設(shè)置在黑矩陣2網(wǎng)格中形成像素層3，黑矩陣2的厚度不低于像素層3的厚度，在性能上黑矩陣2用于發(fā)光量子點的光屏蔽，在結(jié)構(gòu)上黑矩陣2保持設(shè)計需要的圖形，用于支撐像素層3。

目前，本領(lǐng)域技術(shù)人員通過不斷提高像素層3中發(fā)光量子點的濃度來提高像素層3的光轉(zhuǎn)換效率。然而，當(dāng)像素層3的厚度一定的時候，在發(fā)光量子點濃度達到臨界值后，繼續(xù)增加發(fā)光量子點濃度，像素層3的光轉(zhuǎn)換效率不再有明顯變化，如此將限制了QDCF的光轉(zhuǎn)換效率的提高。

近有研究表明激發(fā)光藍光的吸收光轉(zhuǎn)換效率與像素層3的厚度成正比，即當(dāng)像素層3中發(fā)光量子點的濃度達到臨界值后，增加像素層3的厚度可繼續(xù)提高像素層3的光轉(zhuǎn)換效率。為保證QDCF的性能，若要提高像素層3的厚度相應(yīng)的就需要提高黑矩陣的厚度，而目前用作的QDCF中黑矩陣的材料，在黑矩陣寬度一定的時候，其厚度所能達到的最大值也將是定值，如QDCF中黑矩陣的寬度為26μm，其厚度能達到的最大值為2μm，無法進一步提高，制約QDCF的光轉(zhuǎn)換效率的進一步提高。因此，如何進一步提高QDCF的光轉(zhuǎn)換效率，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)難題。

發(fā)明內(nèi)容

本申請?zhí)峁┝艘环NQDCF、其加工方法及應(yīng)用，用于提高QDCF的光轉(zhuǎn)換效率。

第一方面，本申請?zhí)峁┝艘环NQDCF，包括基板本體以及設(shè)置在基板本體上的像素層和黑矩陣；其中：

所述黑矩陣由黑矩陣組合物制成，所述黑矩陣組合物包括以下重量配比的組分：

其中，

所述成膜樹脂包括苯乙烯共聚物，所述苯乙烯共聚物的分子量為5000-50000。

第二方面，本申請?zhí)峁┝艘环NQDCF加工方法，所述方法包括以下步驟：

將上述任意一項所述的黑矩陣組合物涂覆于基板本體上，干燥，形成黑矩陣薄膜；

通過預(yù)定的圖形掩膜，對所述黑矩陣薄膜進行曝光，曝光量為100mJ/cm²-120mJ/cm²；

通過顯影法除去被曝光區(qū)域，形成黑矩陣；

涂覆發(fā)光量子點溶液，干燥，形成像素層。

第三方面，本申請?zhí)峁┝艘环N顯示屏，所述顯示屏包括QDCF，所述QDCF如上述所述的QDCF。

第四方面，本申請?zhí)峁┝艘环N黑矩陣組合物，所述黑矩陣組合物包括以下重量配比的組分：

其中：

所述成膜樹脂包括苯乙烯共聚物，所述苯乙烯共聚物的分子量為5000-50000。

第五方面，本申請?zhí)峁┝艘环N黑矩陣組合物的制備方法，所述加工方法包括以下步驟：

混合光敏劑、表面活性劑、成膜樹脂和溶劑，形成分散體系；

將黑色顏料加入到所述分散體系中，混合，制得用于QDCF基板厚層黑矩陣的組合物；其中，

所述混合光敏劑、表面活性劑、成膜樹脂、溶劑和黑色顏料分別的組分及其重量份數(shù)配比如上述任意一項中所述。

本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案可以包括以下有益效果：

本申請?zhí)峁┑囊环NQDCF、其加工方法及應(yīng)用，QDCF包括基板本體以及設(shè)置在基板本體上的像素層和黑矩陣，其中黑矩陣由黑矩陣組合物制成，黑矩陣組合物包括光敏劑、黑色顏料、表面活性劑、成膜樹脂和溶劑，成膜樹脂中包括苯乙烯共聚物，且苯乙烯共聚物的分子量為5000-50000，所述苯乙烯共聚物能夠提高用于黑矩陣組合物的粘性以及粘稠度，且降低黑矩陣組合物的寬厚比。本申請?zhí)峁┑腝DCF中黑矩陣在其寬度滿足使用需要的同時其厚度能夠達到10μm，完全滿足通過改變像素層厚度來進一步提高QDCF光轉(zhuǎn)換效率的要求，有助于進一步提高QDCF光轉(zhuǎn)換效率。

應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本發(fā)明。

附圖說明