[發明專利]一種基于多指SiGe HBT的輻射強度檢測器

有效

• 申請號: 201710927004.8
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN107728190B
• 公開（公告）日: 2023-09-26
• 發明（設計）人: 秦國軒;趙政;張一波;黨孟嬌;王亞楠
• 申請（專利權）人: 天津大學
• 主分類號: G01T1/24
• 分類號: G01T1/24
• 代理公司: 天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201
• 代理人: 杜文茹

1.一種基于多指SiGe?HBT的輻射強度檢測器，其特征在于，包括依次串聯連接的：三八譯碼器（1）、起連接作用的第一排插（2）、可拆卸輻射強度探測陣列（3）、起連接作用的第二排插（4）、濾波器陣列（5）和A/D轉換電路陣列（6）和FPGA芯片（7），所述FPGA芯片（7）的信號輸入端還連接矩陣鍵盤（8），所述FPGA芯片（7）的輸出端連接液晶顯示器（10）以及連接三八譯碼器（1）的輸入端；所述的A/D轉換電路陣列（6）是由若干個結構相同的A/D轉換電路構成，所述A/D轉換電路的個數與構成濾波器陣列（5）的濾波器的個數相同；

所述的可拆卸輻射強度探測陣列（3）是由若干個結構相同的檢測單元（3-1）構成，每一個檢測單元（3-1）的輸入端通過第一排插（2）連接所述三八譯碼器（1）的輸出端，每一個檢測單元（3-1）的輸出端通過第二排插（4）連接所述濾波器陣列（5）的輸入端；所述濾波器陣列（5）是由若干個結構相同的濾波器構成，所述濾波器的個數與構成可拆卸輻射強度探測陣列（3）的檢測單元（3-1）的個數相同；

所述的檢測單元（3-1）包括有一個多指SiGe?HBT（G）、第一MOS開關管（T1）和第二MOS開關管（T2），其中，所述多指SiGe?HBT（G）的基極接地，集電極連接第一MOS開關管（T1）的漏極，發射極連接第二MOS開關管（T2）的漏極，所述第一MOS開關管（T1）和第二MOS開關管（T2）的柵極通過第一排插（2）連接三八譯碼器（1）的輸出端，源極通過第二排插（4）連接濾波器（5）的輸入端；在所述的檢測單元（3-1）中，所述的第一MOS開關管（T1）和第二MOS開關管（T2）采用隔離鉛盒（16）進行封閉，用于與所述的多指SiGe?HBT（G）進行隔離；

所述多指SiGe?HBT（G）的集電極（Gc）上設置有U型結構的集電極n型摻雜區（15），所述集電極n型摻雜區（15）的U型凹槽內嵌入有基區p型摻雜區（14），所述基區p型摻雜區（14）的上端面內分別嵌入有3個發射極n型摻雜區（11、12、13），所述多指SiGe?HBT（G）的基極（Ga）為梳狀結構，且一體形成有4個基極齒（a），所述多指SiGe?HBT（G）的發射極（Gb）為梳狀結構，且一體形成有3個發射極齒（b），所述發射極的3個發射極齒（b）對應插入到基極的4個基極齒（a）的齒間內，所述基極（Ga）的4個基極齒（a）位于所述基區p型摻雜區（14）的上端面上，所述發射極的3個發射極齒（b）對應位于所述3個發射極n型摻雜區（11、12、13）的上端面上。

2.根據權利要求1所述的一種基于多指SiGe?HBT的輻射強度檢測器，其特征在于，所述FPGA芯片（7）還連接USB接口（9）。