[發明專利]雷達傳感器

有效

• 申請號: 201710924853.8
• 申請日: 2017-10-02
• 公開（公告）號: CN107731952B
• 公開（公告）日: 2022-11-25
• 發明（設計）人: 李健勝;朱玉珍
• 申請（專利權）人: 深圳市雷克斯托通信有限公司
• 主分類號: H01L31/09
• 分類號: H01L31/09
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種半導體雷達傳感器，所述雷達傳感器包括多個在垂直與水平方向上排列成為二維行列分布的光電傳感器，其特征在于，所述光電傳感器包括：兩個三極管、六個N晶體管與二個P晶體管；

第一三極管(T1)的集電極與發射極同時連接至第一N晶體管(N1)的漏極與第四N晶體管(N4)的柵極；

所述第一三極管(T1)的基極與所述第四N晶體管(N4)的漏極同時與電源電壓VDD連接；

第五N晶體管(N5)的漏極與第一N晶體管(N1)的源極連接，柵極與第六N晶體管(N6)的柵極連接，源極接地；

所述第六N晶體管(N6)的漏極與第二N晶體管(N2)的源極連接，柵極與第五N晶體管(N5)的柵極、第四N晶體管(N4)的源接連接，源極接地；

第二三極管(T2)的基極與第二P晶體管(P2)的柵極、漏極及第一P晶體管(P1)的柵極連接，集電極與發射極同時接地；

所述第一P晶體管(P1)的漏極與所述第二N晶體管(N2)的漏極連接，源極與所述第二P晶體管(P2)的源極同時與電源電壓VDD連接；

所述第一三極管(T1)和第二三極管(T2)均是光敏三極管；

所述第一三極管(T1)的光敏區全部面積接收光照射，所述第二三極管(T2)的發射區面積按預設比例值接收光照射；

所述預設比例值取決于第一P晶體管(P1)的寬度與第二P晶體管(P2)的寬度之比。

2.根據權利要求1所述的雷達傳感器，其特征在于，還至少包括一反相電路，所述反相電路包括第三P晶體管(P3)、第三N晶體管(N3)，所述第三P晶體管(P3)與第三N晶體管(N3)在電源端與地之間串聯連接，所述第三P晶體管(P3)的源極接到電源端，所述第三N晶體管(N3)的柵極與第三P晶體管(P3)的柵極同時接到第二N晶體管(N2)的源極，源極接地，漏極接到第三P晶體管(P3)的漏極，并輸出感應電信號。

3.根據權利要求1所述的雷達傳感器，其特征在于，所述第一三極管(T1)的導通電平與第二三極管(T2)的導通電平相一致。

4.根據權利要求1所述的雷達傳感器，其特征在于，所述第一N晶體管(N1)與第二N晶體管(N2)的長度相等。

5.根據權利要求1所述的雷達傳感器，其特征在于，所述第一P晶體管(P1)或第二N晶體管(N2)的寬度是第二P晶體管(P2)的寬度1-20倍。

6.根據權利要求1-5任一所述的雷達傳感器，其特征在于，所述晶體管采用場效應管、雙極晶體管中的一種或多種。

7.根據權利要求6所述的雷達傳感器，其特征在于，第一P晶體管(P1)、第二P晶體管(P2)為PMOS管，第一N晶體管(N1)、第二N晶體管(N2)、第四N晶體管(N4)、第五N晶體管(N5)及第六N晶體管(N6)為NMOS管。

8.根據權利要求2所述的雷達傳感器，其特征在于，第三P晶體管(P3)為PMOS管，第三N晶體管(N3)為NMOS管。