[發明專利]在任意絕緣基底上制備的線型串聯超級電容器有效
| 申請號: | 201710924376.5 | 申請日: | 2017-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN109216050B | 公開(公告)日: | 2020-06-02 |
| 發明(設計)人: | 吳忠帥;包信和;師曉宇;秦潔瓊;周鋒 | 申請(專利權)人: | 中國科學院大連化學物理研究所 |
| 主分類號: | H01G11/84 | 分類號: | H01G11/84;H01G11/10;H01G11/68;H01G11/32;H01G11/74;H01G11/78 |
| 代理公司: | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人: | 馬馳 |
| 地址: | 116023 *** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 任意 絕緣 基底 制備 線型 串聯 超級 電容器 | ||
1.在任意絕緣基底上制備的線型串聯超級電容器,具體包括以下步驟:
(1)在任意絕緣基底上,以石墨烯、碳納米管、導電聚合物、過渡金屬氧化物電極材料中的一種或二種以上作為墨水,采用涂覆、絲網印刷、噴墨打印和/或3D打印或噴涂法中的一種或二種以上一步實現電極、集流體和連接體在絕緣基底上的沉積和圖案化制備;
(2)所述在絕緣基底上沉積的圖案具有不連續的結構,其包括至少二組以上的不連續的線段,且其中二組線段分別定義為A1、A2、…、An和B1、B2、…、Bn-1、Bn,n≥2正整數,i為1~n間的任一正整數,其中線段Ai和A i+1在線段Bi二端點連線上的投影分別形成一投影區K和L,其中二投影區K和L均不為空集即均為一直線線段且不相交,而對應于形成二投影區K和L的線段Ai和A i+1上的線條分別定義為Mi和M i+1;
j為1~n間的任一正整數,其中線段Bj和B j+1在線段Aj+1二端點連線上的投影分別形成一投影區C和D,其中二投影區C和D均不為空集即均為一直線線段且不相交;
線段Bi在線段Bi二端點連線上的投影形成一投影區T, 投影區K和L位于投影區T上,且投影區K和L間不相交即留有間隔,而對應于形成投影區T與投影區K和L重合部分的線段Bi上的線條分別定義為Ni和N i+1;在絕緣基底上Mi和Ni之間區域涂覆有電解液,構成由線段Ai和線段Bi組成的超級電容器,在絕緣基底上M i+1和N i+1之間區域均分別涂覆有電解液,構成由線段A i+1和線段B i組成的超級電容器;
而線段Ai和線段B i未涂覆電解液的部分作為連接體,線段Ai和線段B i涂覆電解液的部分作為電極和集流體;構成二個以上串聯超級電容器。
2.按照權利要求1所述的在任意絕緣基底上制備的線型串聯超級電容器,其特征在于:所述的絕緣基底為A4打印紙、聚對苯二甲酸乙二醇酯PET、尼龍膜、絲綢布、硅片、玻璃中的一種。
3.按照權利要求1所述的在任意絕緣基底上制備的線型串聯超級電容器,其特征在于:所述的電極材料墨水為石墨烯、碳納米管、導電聚合物、過渡金屬氧化物墨水中的一種或二種以上;
所述的石墨烯為電化學剝離石墨烯、還原氧化石墨烯、液相剝離石墨烯及含石墨烯的復合材料中的一種或二種以上;
所述的導電聚合物為聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩、PH1000聚乙烯二氧噻吩:聚苯乙烯磺酸中的一種或二種以上;
過渡金屬氧化物為二氧化錳、氧化釕、氧化鈷、氧化鎳、氧化鉬中的一種或二種以上。
4.按照權利要求1所述的在任意絕緣基底上制備的線型串聯超級電容器,其特征在于:
墨水采用的分散液為甲醇、乙醇、異丙醇、丙酮、乙二醇、二甲基亞砜、呋喃、吡啶、N,N-二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的一種或二種以上。
5.按照權利要求1或4所述的在任意絕緣基底上制備的線型串聯超級電容器,其特征在于:所述的石墨烯于墨水中濃度為0.01~10 mg mL-1;
碳納米管于墨水中濃度為0.01~10 mg mL-1;
導電聚合物于墨水中的濃度為0.01~10 mg mL-1;
過渡金屬氧化物于墨水中的濃度為0.01~10.0 mg mL-1。
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