[發明專利]半導體器件

有效

• 申請號: 201710924364.2
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN107919384B
• 公開（公告）日: 2020-11-06
• 發明（設計）人: 川上昌宏;森朋彥;上田博之
• 申請（專利權）人: 株式會社電裝
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 韓峰;孫志湧

1.一種半導體器件，所述半導體器件包括：

阱外n型區，

p 型阱區，所述p 型阱區被所述阱外n型區包圍并且暴露于半導體襯底的表面，

阱內n型區，所述阱內n型區被所述p型阱區包圍并且暴露于所述半導體襯底的所述表面，以及

柵電極，在所述阱外n型區和所述阱內n型區彼此分開的范圍內，所述柵電極經由絕緣膜來與所述p型阱區的表面相對，

其中，

所述阱外n型區包括與所述p型阱區接觸的雜質低濃度區以及被通過所述雜質低濃度區而與所述p型阱區分開的雜質高濃度區；

所述雜質低濃度區包含比所述雜質高濃度區低的n型雜質的濃度；并且

所述雜質高濃度區包括水平部分和從所述水平部分朝著所述半導體襯底的表面延伸的垂直部分，所述垂直部分的上表面通過一部分所述雜質低濃度區而隔離于所述絕緣膜的下表面。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，

在所述雜質低濃度區和所述雜質高濃度區之間設置有雜質中間濃度區。

3.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，

所述阱外n型區包括外延生長的氮化物半導體。

4.根據權利要求1或2所述的半導體器件，其特征在于，

所述絕緣膜和所述柵電極在相鄰的所述p型阱區之間的間隙上方延伸，并且在所述間隙中，所述雜質低濃度區與所述絕緣膜接觸。

5.根據權利要求3所述的半導體器件，其特征在于，

所述絕緣膜和所述柵電極在相鄰的所述p型阱區之間的間隙上方延伸，并且在所述間隙中，所述雜質低濃度區與所述絕緣膜接觸。

6.一種制造半導體器件的方法，所述方法包括以下步驟：

在n型半導體襯底的表面上，生長n型半導體的晶體；

從其上已經生長有所述晶體的所述半導體襯底的表面，蝕刻所述n型半導體的一部分；

在已經被蝕刻的所述半導體襯底的表面上，再次生長n型半導體的晶體；

在其上已經再次生長有所述晶體的所述半導體襯底的表面上，形成p型阱區；以及

將n型雜質注入所述p型阱區的一部分中并且進行熱處理，

其中，

通過晶體生長而再次生長的所述n型半導體是雜質低濃度區，蝕刻之前生長的所述n型半導體是雜質高濃度區，所述雜質低濃度區的雜質濃度被設置成低于所述雜質高濃度區的雜質濃度，并且

所述雜質高濃度區包括水平部分和從所述水平部分朝著所述n型半導體襯底的表面延伸的垂直部分，所述垂直部分的上表面通過一部分所述雜質低濃度區而隔離于柵極絕緣膜的下表面。