[發(fā)明專利]薄膜晶體管及其有源層和應(yīng)用

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710923094.3
• 申請(qǐng)日: 2017-09-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108346702A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-07-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董婷
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;H01L29/08
• 代理公司: 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 林青中

1.一種薄膜晶體管的有源層，其特征在于，由交替層疊的半導(dǎo)體層和導(dǎo)體層構(gòu)成，所述導(dǎo)體層的層數(shù)為至少一層，所述半導(dǎo)體層的層數(shù)至少兩層；所述導(dǎo)體層位于相鄰的兩層所述半導(dǎo)體層之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的有源層，其特征在于，所述導(dǎo)體層的材料為金屬、合金或金屬氧化物。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管的有源層，其特征在于，所述導(dǎo)體層的材料為Au、Ag、Cu、Pt、Mg、Ti、Al、Al-Nd合金、ITO、FTO中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的有源層，其特征在于，各所述半導(dǎo)體層的材料分別獨(dú)立的任選自二元氧化物、三元氧化物、四元氧化物中的至少一種。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管的有源層，其特征在于，所述二元氧化物為ZnO、In₂O₃或Ga₂O₃；所述三元氧化物為InZnO、ZnSnO、ZrInO、ZrSnO、SiSnO或SiInO；所述四元氧化物為InGaZnO、InHfZnO、InSiZnO。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的有源層，其特征在于，各所述半導(dǎo)體層中的其載流子濃度之和為10¹³～10¹⁸個(gè)/cm³。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管的有源層，其特征在于，各所述半導(dǎo)體層的總厚度為10～100nm；所述導(dǎo)體層的厚度為0.1～5nm。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管的有源層，其特征在于，各所述半導(dǎo)體層的總厚度為20～70nm。

9.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的有源層。

10.權(quán)利要求9所述的薄膜晶體管在電子器件中的應(yīng)用。