[發明專利]有機發光顯示裝置及其制造方法在審
| 申請號: | 201710922807.4 | 申請日: | 2017-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN108269828A | 公開(公告)日: | 2018-07-10 |
| 發明(設計)人: | 楊熙正;申宇燮 | 申請(專利權)人: | 樂金顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L29/417;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 康建峰;楊華 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 第一電極 漏電極 源電極 有機發光顯示裝置 薄膜晶體管 有機發光層 絕緣層 一體地形成 第二電極 鈍化層 發光區 制造 暴露 延伸 覆蓋 | ||
1.一種有機發光顯示裝置,包括:
半導體層,所述半導體層位于襯底上并且包括源區、漏區和溝道區;
柵絕緣層和柵電極,所述柵絕緣層被設置在所述半導體層的所述溝道區上,所述柵電極被設置成與所述溝道區交疊;
層間絕緣層,所述層間絕緣層被設置在所述襯底上,在所述層間絕緣層上設置有所述柵電極,所述層間絕緣層具有被構造成暴露所述源區的第一接觸孔和被構造成暴露所述漏區的第二接觸孔;
源電極和漏電極,所述源電極通過所述第一接觸孔連接至所述源區,所述漏電極通過所述第二接觸孔連接至所述漏區;
第一電極,所述第一電極通過延伸所述源電極和所述漏電極中的一個的一部分來形成;
鈍化層,所述鈍化層位于所述襯底上以覆蓋所述源電極和所述漏電極,所述鈍化層被構造成暴露所述第一電極;
岸絕緣層,所述岸絕緣層被設置在所述鈍化層上;
有機發光層,所述有機發光層被設置在所述第一電極上;以及
第二電極,所述第二電極被設置在所述有機發光層上,
其中,所述源電極和所述漏電極中的每一個包括由不同的透明導電材料形成的下層部分、中間層部分以及由金屬材料形成的上層部分,并且其中,所述第一電極與所述源電極的下層部分和所述漏電極的下層部分中的一個一體地形成。
2.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述鈍化層被設置成延伸至所述有機發光層的邊緣部分的底部。
3.根據權利要求2所述的裝置,其中,所述有機發光層的邊緣部分的高度大于所述有機發光層的中心部分的高度。
4.根據權利要求2所述的裝置,其中,
所述源電極或所述漏電極的中間層部分被設置在所述鈍化層下方以延伸至所述有機發光層的邊緣部分的底部,并且
所述源電極或所述漏電極的中間層部分的側表面端部與所述有機發光層接觸。
5.根據權利要求4所述的裝置,還包括:
偽導電層,所述偽導電層被設置在所述有機發光層的邊緣下方、所述鈍化層的邊緣與所述第一電極的邊緣之間,
其中,所述偽導電層的側表面與所述有機發光層接觸,并且
所述偽導電層與所述中間層部分處于同一層。
6.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述下層部分由銦錫氧化物ITO形成,并且所述中間層部分由銦鎵鋅氧化物IGZO或銦鋅氧化物IZO形成。
7.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述下層部分由IGZO或IZO形成,并且所述中間層部分由ITO形成。
8.根據權利要求1所述的裝置,其中,所述鈍化層由親水性無機絕緣材料形成,并且所述岸絕緣層由疏水性有機絕緣材料形成。
9.一種制造有機發光顯示裝置的方法,所述方法包括:
在襯底上形成半導體層;
在所述半導體層上形成柵絕緣層和柵電極,并且通過將所述半導體層構造為導體來形成源區和漏區;
在形成有所述柵電極的所述襯底上形成具有第一接觸孔和第二接觸孔的層間絕緣層;
在所述層間絕緣層上依次使用不同的透明導電材料形成第一劃分層和第二劃分層以及使用金屬材料形成第三劃分層;
通過對所述第一劃分層至所述第三劃分層進行圖案化來形成通過所述第一接觸孔和所述第二接觸孔分別連接至所述源區和所述漏區的源電極和漏電極,并且將所述源電極和所述漏電極中的一個的所述第一劃分層和所述第二劃分層延伸至發光區;
在所述發光區上形成被構造成暴露所述第二劃分層的鈍化層;
在所述發光區上的被配置成暴露所述第二劃分層的所述鈍化層上形成岸絕緣層;
通過去除所述發光區上的所述第二劃分層、使用所述第一劃分層來形成第一電極;以及
在所述第一電極上形成有機發光層和第二電極,
其中,所述源電極和所述漏電極中的每一個包括由不同的透明導電材料形成的下層部分、中間層部分以及由金屬材料形成的上層部分。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





