[發(fā)明專利]四晶體模塊自復(fù)位過流保護(hù)型P管輸出高邊驅(qū)動(dòng)電路

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710917605.0
• 申請(qǐng)日: 2017-10-02
• 公開（公告）號(hào): CN107666303A
• 公開（公告）日: 2018-02-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊明
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山中錦微電科技有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/082
• 分類號(hào): H03K17/082;H03K17/28
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種四晶體模塊自復(fù)位過流保護(hù)型P管輸出高邊驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于包括：第一、二、三、四晶體模塊、反饋模塊和延時(shí)模塊，其中，

所述第一、二、三晶體模塊各具有輸入端、輸出端和公共端，所述第一晶體模塊還具有負(fù)極端，

所述第四晶體模塊具有輸入端、第二端和第三端，

所述反饋模塊包括輸入端和輸出端，

所述延時(shí)模塊包括輸入端和輸出端，延時(shí)模塊內(nèi)采用RC延時(shí)電路；

所述第一晶體模塊的輸出端和所述第二晶體模塊輸入端連接，所述第一晶體模塊的公共端接電源正極，所述第一晶體模塊的負(fù)極端接地(即電源負(fù)極)，

所述第二晶體模塊的公共端接電源正極，所述第二晶體模塊的輸出端與所述第四晶體模塊的第三端、所述第三晶體模塊的輸入端同時(shí)連接，

所述第三晶體模塊的公共端接地，所述第三晶體模塊的輸出端與所述延時(shí)模塊的輸入端連接，

所述延時(shí)模塊的輸出端與所述第四晶體模塊的輸入端連接，

所述第四晶體模塊的第二端與所述反饋模塊的輸入端連接，

所述反饋模塊的輸出端與所述第一晶體模塊的輸入端連接；

所述第一、二、三晶體模塊均為包括半導(dǎo)體放大元件的電路單元，所述第四晶體模塊為包括半導(dǎo)體放大元件的電路單元或?yàn)殡p二極管且所述雙二極管的公共陰極作為所述第四晶體模塊是輸入端、所述雙二極管的兩個(gè)陽極分別為第二端和第三端)；

所述第一晶體模塊的輸入端(IN)輸入控制信號(hào)時(shí)，在所述第二晶體模塊輸出端(OUT)獲得輸出控制信號(hào)，用于控制外部負(fù)載；

在所述第二晶體模塊導(dǎo)通時(shí)，當(dāng)發(fā)生第二晶體模塊過流，通過所述第四晶體模塊和所述反饋模塊使所述第一晶體模塊導(dǎo)通從而使所述第二晶體模塊截止并自鎖于該狀態(tài)，用于保護(hù)所述第二晶體模塊，再經(jīng)過延時(shí)模塊延時(shí)后，通過所述第四晶體模塊、反饋模塊使所述第一晶體模塊截止進(jìn)而使所述第二晶體模塊導(dǎo)通，使所述第一、二、三、四晶體模塊、反饋模塊和延時(shí)模塊構(gòu)成自復(fù)位過流保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路。

2.如權(quán)利要求1所述的四晶體模塊自復(fù)位過流保護(hù)型P管輸出高邊驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于包括：第一晶體模塊1、第二晶體模塊2、第三晶體模塊3、第四晶體模塊4、延時(shí)模塊5和反饋模塊6，其中，

所述第一晶體模塊1包括三極管Q1和電阻R1，所述三極管Q1基極作為所述第一晶體模塊輸入端，所述三極管Q1的發(fā)射極作為所述第一晶體模塊的公共端接電源正極，所述三極管Q1的集電極和電阻R1一端連接作為所述第一晶體模塊輸出端，電阻R1另一端作為負(fù)極端接地(即電源負(fù)極)；

所述第二晶體模塊2包括場(chǎng)效應(yīng)功率管Q2，功率管Q2源極作為公共端接電源正極、柵極作為輸入端和三極管Q1的集電極連接，漏極作為整個(gè)電路的控制端(即輸出端)，用于控制外部負(fù)載；

所述第三晶體模塊3包括三極管Q3和電阻R3，所述三極管Q3的發(fā)射極作為所述第三晶體模塊的公共端接地，所述三極管Q3的基極通過電阻R3和場(chǎng)效應(yīng)功率管Q2的漏極連接作為所述第三晶體模塊3輸入端，所述三極管Q3的集電極作為第三晶體模塊的輸出端；

所述第四晶體模塊4包括三極管Q4，其基極為輸入端，所述三極管Q4的發(fā)射極作為第二端與所述反饋模塊6連接，所述三極管Q4集電極作為第三端與所述場(chǎng)效應(yīng)功率管Q2漏極連接，

所述反饋模塊6包括電阻R6，電阻R6一端作為輸入端與所述三極管Q4的發(fā)射極連接，所述電阻R6另一端作為輸出端與所述三極管Q1基極連接；

所述延時(shí)模塊5包括電容C1和電阻R5，所述電容C1一端接電源正極，電容C1另一端和電阻R5連接作為所述延時(shí)模塊輸入端和所述三極管Q3集電極連接，所述電阻R5另一端作為所述延時(shí)模塊輸出端和所述三極管Q4基極連接；

所述第一晶體模塊的輸入端(IN)輸入控制信號(hào)時(shí)，在所述第二晶體模塊輸出端(OUT)獲得輸出控制信號(hào)，用于控制外部負(fù)載；

在所述第二晶體模塊導(dǎo)通時(shí)，當(dāng)發(fā)生第二晶體模塊過流，通過所述第四晶體模塊和所述反饋模塊使所述第一晶體模塊導(dǎo)通從而使所述第二晶體模塊截止并自鎖于該狀態(tài)用于保護(hù)所述第二晶體模塊，再經(jīng)過延時(shí)模塊延時(shí)后，通過所述第四晶體模塊使所述第一晶體模塊截止進(jìn)而使所述第二晶體模塊導(dǎo)通，使所述第一、二、三、四晶體模塊、反饋模塊和延時(shí)模塊構(gòu)成自復(fù)位過流保護(hù)驅(qū)動(dòng)電路。