[發明專利]偏振成像探測器有效
| 申請號： | 201710917506.2 | 申請日： | 2017-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN107863411B | 公開（公告）日： | 2019-12-17 |
| 發明（設計）人： | 鐘海政;王雷;王嶺雪;張猛蛟 | 申請（專利權）人： | 北京理工大學 |
| 主分類號： | H01L31/09 | 分類號： | H01L31/09;H01L31/12;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 11372 北京聿宏知識產權代理有限公司 | 代理人： | 吳大建;張杰 |
| 地址： | 100081 北京市*** | 國省代碼： | 北京;11 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 偏振 成像 探測器 | ||
1.一種偏振成像探測器，用于實現紫外偏振成像探測，包括：
紫外-可見光轉換膜，用于選擇性地吸收特定偏振方向的紫外光并且將其轉換為相同偏振方向的可見光；
微納光學結構，用于選擇性地透射所述相同偏振方向的可見光；以及
成像器件，用于探測經由所述微納光學結構透射的所述相同偏振方向的可見光。
2.根據權利要求1所述的偏振成像探測器，其中，所述紫外-可見光轉換膜包括具有偏振選擇特性的量子點材料，或者包括具有偏振選擇特性的、量子點材料與聚合物的復合材料。
3.根據權利要求2所述的偏振成像探測器，其中，所述具有偏振選擇特性的量子點材料包括：具有偏振選擇特性的鈣鈦礦類量子點材料以及具有偏振選擇特性的硒化鎘類量子點材料。
4.根據權利要求2或3所述的偏振成像探測器，其中，所述具有偏振選擇特性的量子點材料或者所述復合材料在所述紫外-可見光轉換膜中沿同一方向排列，所述紫外-可見光轉換膜的偏振吸收和偏振發射方向為均一方向。
5.根據權利要求4所述的偏振成像探測器，其中，所述紫外-可見光轉換膜為圓形，通過繞其中心點旋轉，可以獲得不同偏振方向紫外光的入射強度。
6.根據權利要求4所述的偏振成像探測器，其中，所述紫外-可見光轉換膜包括不同偏振方向的多個光學膜模塊，用于同時測量入射紫外光的不同方向的偏振分量。
7.根據權利要求5或6所述的偏振成像探測器，其中，所述微納光學結構包括亞波長光柵結構或光子晶體結構，其與所述紫外-可見光轉換膜耦合以形成具有像元級網格化結構的偏振光學矩陣。
8.根據權利要求7所述的偏振成像探測器，其中，所述成像器件是電荷耦合元件CCD或CMOS成像器件，其與所述偏振光學矩陣進行像元級耦合和光譜匹配。
9.根據權利要求8所述的偏振成像探測器，其中，所述電荷耦合元件CCD是電子倍增電荷耦合元件EMCCD。
10.根據權利要求8所述的偏振成像探測器，其中，所述成像器件的表面設置有用于增透所述紫外-可見光轉換膜峰值發光波長、截止其他輻射的光學膜。
11.根據權利要求10所述的偏振成像探測器，其中，所述紫外-可見光轉換膜的表面設置有用于增透紫外光、截止可見光和紅外光的另一微納光學結構。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于北京理工大學，未經北京理工大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710917506.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
