[發(fā)明專利]天線單元及陣列天線在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710916613.3 | 申請日： | 2017-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN107732457A | 公開（公告）日： | 2018-02-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 朱華彬 | 申請（專利權(quán)）人： | 蘇州美柯醫(yī)療科技有限公司 |
| 主分類號： | H01Q1/52 | 分類號： | H01Q1/52 |
| 代理公司： | 杭州凱知專利代理事務(wù)所(普通合伙)33267 | 代理人： | 邵志 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 天線 單元 陣列 | ||
1.一種天線單元，其特征在于，所述天線單元中連接有能夠主動消耗吸收該天線單元中射頻功率、以降低該天線單元的Q值的主動損耗性電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線單元，其特征在于，還包括與所述主動損耗性電阻導(dǎo)熱連接、以對所述主動損耗性電阻作降溫處理的低溫設(shè)備。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線單元，其特征在于，所述低溫設(shè)備為低溫容器，所述主動損耗性電阻設(shè)置在所述低溫容器中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的天線單元，其特征在于，所述低溫容器中設(shè)置有液氮。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的天線單元，其特征在于，所述主動損耗性電阻設(shè)置有兩個，并且每個主動損耗性電阻與天線單元之間設(shè)置有通斷開關(guān)，所述低溫設(shè)備僅僅與其中一個主動損耗性電阻導(dǎo)熱連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的天線單元，其特征在于，所述主動損耗性電阻與所述天線單元的諧振回路的電抗元件并聯(lián)連接。
7.一種陣列天線，包括至少兩個天線單元，其特征在于，至少其中一個所述天線單元采用如權(quán)利要求1-6中任一所述天線單元的結(jié)構(gòu)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列天線，其特征在于，所述陣列天線中的所有天線單元均采用如權(quán)利要求1-6中任一所述天線單元的結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列天線，其特征在于，所述陣列天線為相控陣天線或磁共振射頻陣列線圈。
10.一種相控陣?yán)走_(dá)，其特征在于，包括如權(quán)利要求7所述的陣列天線。
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