[發明專利]一種耐電暈PI薄膜及其制備方法在審
| 申請號： | 201710915576.4 | 申請日： | 2017-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN107652679A | 公開（公告）日： | 2018-02-02 |
| 發明（設計）人： | 王雪雪 | 申請（專利權）人： | 安徽國風塑業股份有限公司 |
| 主分類號： | C08L79/08 | 分類號： | C08L79/08;C08K3/36;C08K3/22;C08K5/098;C08G73/10;C08J5/18 |
| 代理公司： | 合肥天明專利事務所(普通合伙)34115 | 代理人： | 汪貴艷,陳進 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 電暈 pi 薄膜 及其 制備 方法 | ||
1.一種耐電暈PI薄膜，其特征在于：由以下組分按重量份數組成：
4,4-二氨基二苯醚13-20份；
均苯四甲酸二酐9-12份；
聯苯雙醚二酐8-14份；
納米填料2-5份；
N,N-二甲基乙酰胺160-190份；
潤滑劑0.5-2份。
2.根據權利要求1所述的一種耐電暈PI薄膜，其特征在于：所述納米填料為納米二氧化硅、納米三氧化二鋁、納米二氧化鈦中的至少一種。
3.根據權利要求2所述的一種耐電暈PI薄膜，其特征在于：所述納米二氧化硅介電常數為3.5-3.8、納米三氧化二鋁介電常數為8.6-9、納米二氧化鈦介電常數為93-96。
4.根據權利要求1所述的一種耐電暈PI薄膜，其特征在于：所述潤滑劑為硬脂酸鈣、硬脂酸鎂中的至少一種。
5.根據權利要求5所述的一種耐電暈PI薄膜制備方法，其特征在于：所述PI薄膜在1 MHz下介電常數為2.3～2.9。
6.制備如權利要求1所述的耐電暈PI薄膜的方法，其特征在于：包括以下步驟：a、將4,4-二氨基二苯醚、均苯四甲酸二酐、聯苯雙醚二酐分別經粉碎、充分研磨；
b、將步驟a中得到的原料4,4-二氨基二苯醚、均苯四甲酸二酐、聯苯雙醚二酐分別加入已加有N,N-二甲基乙酰胺的反應器中，使其混合反應后加入納米填料與潤滑劑，均勻混合后對合成的聚酰胺酸溶液做消泡處理；
c、將步驟b中消泡后的聚酰胺酸溶液由不銹鋼溶液儲罐經管路壓入前機頭上的流延嘴儲槽中，流延機中的鋼帶勻速運行，將儲槽中的溶液通過流延嘴前刮板帶走，從而形成厚度均勻的液膜，液膜進入烘干道干燥，隨著溫度的升高，溶劑逐漸揮發，得到聚酰胺酸固體膜；
d、將步驟c中流涎后的聚酰胺酸固體膜逐步加熱至脫溶劑所需要的揮發溫度和拉伸時所要接近的溫度，然后將薄膜縱向拉長，在300～450℃下進行高溫處理，使聚酰胺酸轉化為聚酰亞胺；
e、將聚酰亞胺處理后的聚酰亞胺薄膜進行雙向拉伸和熱處理，得到聚酰亞胺薄膜成品。
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