[發明專利]AAO光子晶體基耐高溫三元納米復合吸熱涂層的制備方法

在審

• 申請號: 201710914803.1
• 申請日: 2017-09-30
• 公開（公告）號: CN107779921A
• 公開（公告）日: 2018-03-09
• 發明（設計）人: 陳東初;魏紅陽;常萌蕾;戶華文
• 申請（專利權）人: 佛山科學技術學院
• 主分類號: C25D3/56
• 分類號: C25D3/56;C25D11/08;C25D11/20
• 代理公司: 廣州新諾專利商標事務所有限公司44100
• 代理人: 許英偉

1.AAO光子晶體基耐高溫三元納米復合吸熱涂層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

1)將經前處理后的鋁合金基材放入H₂SO₄的電解液中做周期性變電壓氧化，且陰極板采用高純鉛板；

2)將得到的陽極氧化模板用蒸餾水水洗后吹干，放入105g/L H₃PO₄溶液中交流擴孔處理；

3)將擴孔后的陽極氧化鋁合金用蒸餾水水洗后，放入在以硫酸鎳、硫酸銅為主鹽的沉積液中進行交流電沉積。

2.根據權利要求1所述AAO光子晶體基耐高溫三元納米復合吸熱涂層的制備方法，其特征在于，步驟1)中，鋁合金進行陽極氧化的電解液為質量分數為85～110g/L H₂SO₄溶液。

3.根據權利要求1所述AAO光子晶體基耐高溫三元納米復合吸熱涂層的制備方法，其特征在于，步驟1)中，每個周期電壓變化主要分5個階段，其對應時間參數為：t₁＝12～60s、t₂＝12～60s、t₃＝10～40s、t₄＝36～90s、t₅＝128s；t₀＝300～2400s為初始氧化時段。

4.根據權利要求1所述AAO光子晶體基耐高溫三元納米復合吸熱涂層的制備方法，其特征在于，周期電壓參數：U₀＝U₁＝U₅＝1.8～4.2V；U₂＝6.0～8.5V；U₃＝3.8～6.2V；U₄＝2.8～5V；溫度2～25/℃；氧化周期N＝70～120。

5.根據權利要求1所述AAO光子晶體基耐高溫三元納米復合吸熱涂層的制備方法，其特征在于，步驟2)中，交流擴孔：將具備AAO光子晶體結構的鋁合金試樣用純水沖洗干凈，吹干后，放入105g/L H₃PO₄磷酸溶液中進行交流擴孔，交流電壓4V，預浸10s，擴孔時間為300～600s，溫度25℃。

6.根據權利要求1所述AAO光子晶體基耐高溫三元納米復合吸熱涂層的制備方法，其特征在于，步驟3)中，進行交流電沉積的沉積條件為：電壓14V、沉積時間100s～700s、沉積溫度10℃～40℃，交流頻率50Hz。

7.根據權利要求1所述AAO光子晶體基耐高溫三元納米復合吸熱涂層的制備方法，其特征在于，步驟3)中，電沉積液組成為：40g～60g/L NiSO₄·6H₂O、3～4.5g/L CuSO₄·5H₂O、25～30g/L H₃BO₄(pH＝4.0)、10～20g/L MgSO₄·7H₂O、1.5～3.5g/LC₆H₅O₇(NH₄)₃。

8.根據權利要求1所述AAO光子晶體基耐高溫三元納米復合吸熱涂層的制備方法，其特征在于，步驟1)中，鋁合金試樣前處理：將鋁合金試樣放在溫度為70℃的45g/L NaOH、1g/L C₁₂H₂₅SO₄Na的混合溶液中堿蝕3min，將堿蝕后的試樣用水沖洗干凈放入10％H₂SO₄、4％HNO₃混合溶液中酸洗4min，將酸后的試片用超純水沖洗后進行AAO光子晶體的制備。