[發明專利]頻率可變磁電阻效應元件以及使用該元件的振蕩器、檢波器及濾波器有效
| 申請號: | 201710914552.7 | 申請日: | 2017-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN107919434B | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發明(設計)人: | 柴田龍雄 | 申請(專利權)人: | TDK株式會社 |
| 主分類號: | H01L43/08 | 分類號: | H01L43/08;H03B15/00 |
| 代理公司: | 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322 | 代理人: | 楊琦;陳明霞 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 頻率 可變 磁電 效應 元件 以及 使用 振蕩器 檢波器 濾波器 | ||
1.一種頻率可變磁電阻效應元件,其特征在于,
包括:
磁電阻效應元件;
磁場施加機構,對所述磁電阻效應元件施加磁場;
電場施加機構,對所述磁電阻效應元件施加電場;以及
控制端子,與所述電場施加機構連接并向所述電場施加機構供給大小及/或極性不同的電壓,
所述磁電阻效應元件包含具有電磁效應的反鐵磁性物質或亞鐵磁性物質,
并且,所述磁電阻效應元件通過改變從所述控制端子供給的電壓的大小及/或極性,控制所述磁電阻效應元件的自旋扭矩振蕩頻率或自旋扭矩共鳴頻率。
2.根據權利要求1所述的頻率可變磁電阻效應元件,其特征在于,
所述磁電阻效應元件包括控制層及磁化自由層,該磁化自由層與所述控制層磁連接且其磁化方向是可變的,并且所述控制層包含所述反鐵磁性物質或所述亞鐵磁性物質。
3.根據權利要求2所述的頻率可變磁電阻效應元件,其特征在于,
所述控制層包含第二反鐵磁性物質,該第二反鐵磁性物質的奈爾溫度比所述反鐵磁性物質或所述亞鐵磁性物質的奈爾溫度高。
4.根據權利要求1所述的頻率可變磁電阻效應元件,其特征在于,
還包括控制機構,該控制機構與所述控制端子連接并具有控制對所述控制端子施加的電壓及其極性的功能。
5.根據權利要求2所述的頻率可變磁電阻效應元件,其特征在于,
還包括控制機構,該控制機構與所述控制端子連接并具有控制對所述控制端子施加的電壓及其極性的功能。
6.根據權利要求3所述的頻率可變磁電阻效應元件,其特征在于,
還包括控制機構,該控制機構與所述控制端子連接并具有控制對所述控制端子施加的電壓及其極性的功能。
7.根據權利要求4所述的頻率可變磁電阻效應元件,其特征在于,
還包括反饋電路,該反饋電路檢測所述磁電阻效應元件的輸入信號或輸出信號的任何一方或雙方,并向所述控制機構進行反饋,以便設定為所希望的自旋扭矩振蕩頻率或希望的自旋扭矩共鳴頻率。
8.根據權利要求5所述的頻率可變磁電阻效應元件,其特征在于,
還包括反饋電路,該反饋電路檢測所述磁電阻效應元件的輸入信號或輸出信號的任何一方或雙方,并向所述控制機構進行反饋,以便設定為所希望的自旋扭矩振蕩頻率或希望的自旋扭矩共鳴頻率。
9.根據權利要求6所述的頻率可變磁電阻效應元件,其特征在于,
還包括反饋電路,該反饋電路檢測所述磁電阻效應元件的輸入信號或輸出信號的任何一方或雙方,并向所述控制機構進行反饋,以便設定為所希望的自旋扭矩振蕩頻率或希望的自旋扭矩共鳴頻率。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的頻率可變磁電阻效應元件,其特征在于,
所述磁場施加機構是永磁鐵。
11.根據權利要求2所述的頻率可變磁電阻效應元件,其特征在于,
所述磁化自由層具有面內方向的磁各向異性,
由所述磁場施加機構施加的施加磁場在與所述磁電阻效應元件的層疊方向垂直的方向上施加于所述控制層,
由所述電場施加機構施加的施加電場在與所述磁電阻效應元件的層疊方向垂直的方向上施加于所述控制層,
所述施加磁場和所述施加電場以大致平行或大致反向平行的關系被重疊施加于所述控制層,
并且,通過改變所述施加電場的大小或施加方向,改變所述自旋扭矩振蕩頻率或所述自旋扭矩共鳴頻率。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于TDK株式會社,未經TDK株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201710914552.7/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:新穎勝肽及其應用
- 下一篇:一種鐵配位聚合物納米顆粒的解離方法及其應用





