[發明專利]存儲器及其制造方法

在審

• 申請號: 201710911972.X
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN107546226A
• 公開（公告）日: 2018-01-05
• 發明（設計）人: 不公告發明人
• 申請（專利權）人: 睿力集成電路有限公司
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237
• 代理人: 智云

1.一種存儲器的制造方法，其特征在于，所述存儲器的制造方法包括：

提供一襯底，所述襯底中形成有沿第一方向和第二方向呈陣列排布的多個有源區，且所述有源區沿所述第二方向延伸，所述襯底中還形成有至少一條隔離線，所述隔離線隔離在所述第二方向上相鄰的所述有源區；

形成多條位線結構于所述襯底上，所述位線結構沿第三方向延伸且對準連接所述有源區中的源極，每條所述位線結構包括一位線導體及覆蓋所述位線導體的位線隔離層；

形成一存儲節點接觸材料層于所述襯底上，所述存儲節點接觸材料層覆蓋所述襯底在相鄰所述位線結構之間的區域；

圖案化刻蝕所述存儲節點接觸材料層，以形成多個存儲節點接觸，每個存儲節點接觸對準所述有源區中的一個漏極，并形成多個開口，位于在所述第二方向上相鄰的所述存儲節點接觸之間并對準所述隔離線；

形成一第一接觸間隔材料層于所述襯底上，所述第一接觸間隔材料層覆蓋所述開口、所述存儲節點接觸及所述位線結構，并在所述開口中形成孔隙，所述孔隙在高出所述存儲節點接觸頂面的位置封閉；

研磨所述第一接觸間隔材料層至暴露出所述存儲節點接觸，并打開所述孔隙；

形成一第二接觸間隔材料層于所述襯底上，所述第二接觸間隔材料層填充所述孔隙并覆蓋所述存儲節點接觸及所述位線結構；及，

研磨所述第二接觸間隔材料層至暴露出所述存儲節點接觸，以在所述開口中形成一接觸間隔。

2.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述開口的深寬比大于或等于5，所述開口在所述第二方向上的截面寬度為小于或等于20nm，且所述開口的深度為大于或等于150nm。

3.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一接觸間隔材料層和所述第二接觸間隔材料層的材質的介電常數為1～10且所述第二接觸間隔材料層的底面材料的材質相異于所述第一接觸間隔材料層的表面材料的材質。

4.如權利要求1所述的存儲器的制造方法，其特征在于，形成所述第一接觸間隔材料層的步驟包括：

形成一介電覆蓋層于所述襯底上，所述介電覆蓋層覆蓋所述開口、所述存儲節點接觸及所述位線結構，所述介電覆蓋層的材質包含氮化硅與氧化硅的其中之一；及，

形成一介電間隔層于所述介電覆蓋層上，并在所述開口中形成所述孔隙，所述孔隙在高出所述存儲節點接觸頂面的位置封閉，所述介電間隔層的材質包含氧化硅與氮化硅的其中之一，并且所述介電間隔層的材質與所述介電覆蓋層的材質為不相同。

5.如權利要求4所述的存儲器的制造方法，其特征在于，所述第二接觸間隔材料層的材質包含氮化硅和氧化硅的其中之一，且所述第二接觸間隔材料層的底面材料的材質相異于所述第一接觸間隔材料層的表面材料的材質。

6.如權利要求1～5中任一項所述的存儲器的制造方法，其特征在于，在研磨所述第二接觸間隔材料層至暴露出所述存儲節點接觸的步驟之后，所述存儲器的制造方法還包括：

回刻蝕所述存儲節點接觸，以使得所述存儲節點接觸的頂面低于所述接觸間隔的頂面。

7.如權利要求1～5中任一項所述的存儲器的制造方法，其特征在于，在形成所述位線結構的步驟之前，所述存儲器的制造方法還包括：

形成多個位線接觸于所述襯底上，所述位線接觸對準一個所述有源區中的源極。

8.如權利要求7所述的存儲器的制造方法，其特征在于，形成多條所述位線結構的步驟包括：

形成多條位線導體于所述襯底上，所述位線導體沿第三方向延伸并連接所述位線接觸；

形成一第一位線隔離層于所述位線導體上，所述第一位線隔離層更覆蓋所述位線導體的頂面和側面及位于所述位線導體底部的所述位線接觸的側面，所述第一位線隔離層的材質包含氮化硅；

形成一第二位線隔離層于所述第一位線隔離層上，所述第二位線隔離層更覆蓋所述第一位線隔離層的側面，所述第二位線隔離層的材料包含氧化硅和氮氧化硅的其中之一；

形成一第三位線隔離層于所述第二位線隔離層上，所述第三位線隔離層更覆蓋所述第二位線隔離層的側面，所述第三位線隔離層的材質包含旋涂電介質；及，

形成一第四位線隔離層于所述第三位線隔離層上，所述第四位線隔離層更覆蓋所述第三位線隔離層的側面，所述第四位線隔離層的材質包含氮化硅。