[發(fā)明專利]集成電路針腳、內(nèi)嵌式觸摸屏及集成電路針腳的封裝方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710909801.3
• 申請(qǐng)日: 2017-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN107611115B
• 公開（公告）日: 2019-12-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾霜華;曹志浩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/50
• 分類號(hào): H01L23/50;H01L21/56;G06F3/041
• 代理公司: 44238 深圳匯智容達(dá)專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)
• 代理人: 潘中毅;熊賢卿

1.一種集成電路針腳，其特征在于，用于內(nèi)嵌式觸摸屏的IC上，包括：

玻璃基板(1)；

設(shè)置于所述玻璃基板(1)上方的緩沖層(2)；

設(shè)置于所述緩沖層(2)上方的柵極絕緣層(3)；

設(shè)置于所述柵極絕緣層(3)上方的第一金屬層(4)；

設(shè)置于所述第一金屬層(4)上方的第二金屬層(5)；

設(shè)置于所述第二金屬層(5)上方的第一絕緣層(6)；

設(shè)置于所述第一絕緣層(6)上方的第二絕緣層(7)；

設(shè)置于所述第二絕緣層(7)上方的底部銦錫氧化物(8)，所述底部銦錫氧化物(8)還沿至少一貫穿所述第一絕緣層(6)和所述第二絕緣層(7)的通孔(M)的內(nèi)壁向下延伸并與所述第二金屬層(5)連接；

覆蓋于所述底部銦錫氧化物(8)上方的頂部銦錫氧化物(9)。

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路針腳，其特征在于，每一通孔(M)的深度均相等。

3.如權(quán)利要求2所述的集成電路針腳，其特征在于，所述每一通孔(M)內(nèi)壁上的底部銦錫氧化物(8)厚度均與其底部對(duì)應(yīng)覆蓋于所述第二金屬層(5)上的底部銦錫氧化物(8)厚度均相等。

4.一種內(nèi)嵌式觸摸屏，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的集成電路針腳。

5.一種集成電路針腳的封裝方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供一玻璃基板；

在所述玻璃基板的上方形成從下往上依次排序的緩沖層、柵極絕緣層、第一金屬層、第二金屬層、第一絕緣層和第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上選擇多個(gè)蝕刻點(diǎn)，并從上往下蝕刻至所述第一絕緣層，使得所述第二絕緣層與所述第一絕緣層之間形成有同時(shí)貫穿二者上下表面的多個(gè)通孔；

將底部銦錫氧化物設(shè)置于所述第二絕緣層上，且還將所述底部銦錫氧化物進(jìn)一步沿至少一通孔的內(nèi)壁向下延伸并與所述第二金屬層連接；

將頂部銦錫氧化物覆蓋于所述底部銦錫氧化物的上方。

6.如權(quán)利要求5所述的集成電路針腳的封裝方法，其特征在于，所述多個(gè)通孔的每一通孔的深度均相等。

7.如權(quán)利要求6所述的集成電路針腳的封裝方法，其特征在于，所述每一通孔內(nèi)壁上的底部銦錫氧化物厚度均與其底部對(duì)應(yīng)覆蓋于所述第二金屬層上的底部銦錫氧化物厚度均相等。

8.如權(quán)利要求7所述的集成電路針腳的封裝方法，其特征在于，所述在所述玻璃基板的上方形成第一絕緣層和第二絕緣層的步驟包括：

在第二金屬層上涂布第一絕緣層材料；

在所述第一絕緣層材料上涂布第三金屬層；

將所述第三金屬層蝕刻掉；

在所述第一絕緣層材料上涂布第二絕緣層材料；

在所述第二絕緣層材料上涂布光阻層，進(jìn)行曝光、顯影、蝕刻、剝離制程，形成第一絕緣層和第二絕緣層，至少一個(gè)通孔貫穿所述第一絕緣層和第二絕緣層。

9.如權(quán)利要求8所述的集成電路針腳的封裝方法，其特征在于，所述將頂部銦錫氧化物覆蓋于所述底部銦錫氧化物的上方的步驟之前，所述方法還包括：

在所述底部銦錫氧化物的上方涂布鈍化層；

將所述鈍化層蝕刻掉。