[發明專利]陣列基板及其像素的制作方法、液晶面板在審
| 申請號: | 201710909023.8 | 申請日: | 2017-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN107436521A | 公開(公告)日: | 2017-12-05 |
| 發明(設計)人: | 徐向陽 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1362 | 分類號: | G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司44304 | 代理人: | 孫偉峰,武岑飛 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 及其 像素 制作方法 液晶面板 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:數據線、柵極線和公共電極線,所述數據線和所述公共電極線沿列方向延伸,所述柵極線沿行方向延伸,所述數據線與所述柵極線交叉設置,所述公共電極線和所述數據線平行設置,且所述公共電極線與所述柵極線不交叉重疊。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:多個像素塊,所述多個像素塊陣列排布,每個像素塊包括沿行方向排列的兩個像素,所述數據線設置于所述像素塊之間,所述柵極線設置于所述像素塊之間,所述像素與對應的所述數據線和對應的所述柵極線連接,每個像素塊的兩個像素之間設置所述公共電極線。
3.根據權利要求2所述陣列基板,其特征在于,每相鄰的兩列像素塊之間設置一條數據線,所述一條數據線與其相鄰的兩列像素中的每個像素連接。
4.根據權利要求2或3所述陣列基板,其特征在于,每相鄰的兩行像素塊之間設置兩條柵極線,所述兩條柵極線之一與其相鄰的一行像素塊中的位于奇數列的像素連接,所述兩條柵極線之另一與其相鄰的一行像素塊中的位于偶數列的像素連接;
或者每相鄰的兩行像素塊之間設置兩條柵極線,所述兩條柵極線之一與其相鄰的一行像素塊中的位于偶數列的像素連接,所述兩條柵極線之另一與其相鄰的一行像素塊中的位于奇數列的像素連接。
5.根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述像素包括:薄膜晶體管、像素電極、公共電極及液晶,所述薄膜晶體管的柵極連接到對應的柵極線,所述薄膜晶體管的源極或漏極連接到對應的數據線,所述薄膜晶體管的漏極或源極連接到所述像素電極,所述像素電極與所述公共電極彼此間隔,所述液晶設置于所述像素電極和所述公共電極之間,所述公共電極與對應的公共電極線連接。
6.一種如權利要求5所述的陣列基板的像素的制作方法,其特征在于,包括步驟:
在基板上形成薄膜晶體管及與該薄膜晶體管間隔的公共電極線;
在所述薄膜晶體管的源極或漏極上形成像素電極;
形成覆蓋所述薄膜晶體管、所述公共電極線及所述像素電極的絕緣材料層;
在所述絕緣材料層中形成暴露所述公共電極線的過孔;
在所述絕緣材料層上形成公共電極,所述公共電極填充所述過孔以與所述公共電極線連接。
7.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,形成所述薄膜晶體管和所述公共電極線的方法包括步驟:
在所述基板上形成柵極;
在所述基板和所述柵極上形成柵極絕緣層;
在所述柵極絕緣層上同時形成有源層、位于所述有源層上且彼此間隔的源極和漏極以及與所述有源層間隔的公共電極線。
8.根據權利要求6所述的制作方法,其特征在于,形成所述絕緣材料層的方法包括步驟:
形成覆蓋所述薄膜晶體管、所述公共電極線及所述像素電極的氮化硅層;
形成覆蓋所述氮化硅層的有機絕緣材料層。
9.一種液晶面板,其特征在于,包括權利要求1至5任一項所述的陣列基板。
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