[發明專利]基于雙柵結構的半導體高電子遷移率晶體管

在審

• 申請號: 201710908767.8
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN107887434A
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 韓克鋒
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第五十五研究所
• 主分類號: H01L29/778
• 分類號: H01L29/778;H01L29/423
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種基于雙柵結構的半導體高電子遷移率晶體管，其特征在于：包括襯底(101)、設于襯底(101)上方的溝道層(102)以及設于溝道層(102)上方的勢壘層(103)，所述襯底(101)和溝道層(102)之間，還包括緩沖層和成核層；在所述勢壘層(103)的上方兩端分別設有源極(104)和漏極(109)，所述源極(104)和漏極(109)之間為絕緣柵介質(105)，所述絕緣柵介質(105)的上方設有遠柵極(106)，所述絕緣柵介質(105)和勢壘層(103)之間設有近柵極(107)；所述源極(104)和遠柵極(106)之間、遠柵極(106)和漏極(109)之間，均設有器件鈍化介質(108)。

2.根據權利要求1所述的半導體高電子遷移率晶體管，其特征在于：所述遠柵極(106)的近漏端超過近柵極(107)的長度。

3.根據權利要求1所述的半導體高電子遷移率晶體管，其特征在于：所述晶體管采用GAN、GaAs或者InP。

4.根據權利要求1所述的半導體高電子遷移率晶體管，其特征在于：所述襯底(101)選用SiC、Si或者藍寶石。

5.根據權利要求1所述的半導體高電子遷移率晶體管，其特征在于：所述勢壘層(103)采用本征AlGaN或InAlN。

6.根據權利要求1所述的半導體高電子遷移率晶體管，其特征在于：所述絕緣柵介質(105)根據介質介電強度和介電常數的要求采用HfO2、Al₂O₃或Si₃N₄。

7.根據權利要求1所述的半導體高電子遷移率晶體管，其特征在于：所述遠柵極(106)采用Au或Cu。

8.根據權利要求1所述的半導體高電子遷移率晶體管，其特征在于：所述近柵極(107)采用Ni和Au兩層金屬。

9.根據權利要求1所述的半導體高電子遷移率晶體管，其特征在于：所述器件鈍化介質(108)為Si₃N₄或者有機聚合物。

10.根據權利要求9所述的半導體高電子遷移率晶體管，其特征在于：所述有機聚合物為聚對二甲苯或者BCB。