[發明專利]一種反應離子刻蝕方法形成的納米絨面表面缺陷修復方法

在審

• 申請號: 201710908714.6
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN107623056A
• 公開（公告）日: 2018-01-23
• 發明（設計）人: 丁建寧;盛健;袁寧一;楊亞娣
• 申請（專利權）人: 常州大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 常州市權航專利代理有限公司32280
• 代理人: 袁興隆

1.一種反應離子刻蝕方法形成的納米絨面表面缺陷修復方法，其特征在于，包括步驟：

(1) 反應離子刻蝕方法損傷層去除及表面微修飾：配置HF臭氧混合溶液，將經RIE處理后的硅片放置于所述HF臭氧混合溶液中，使得硅片表面形成氧化硅層；

(2)在納米絨面制備完成后，將硅片放置于由HF、HCl和去離子水混合而成的混合溶液中，去除硅片表面的氧化硅層及金屬離子，然后烘干，進入多晶電池片正常流程。

2.根據權利要求1所述的反應離子刻蝕方法形成的納米絨面表面缺陷修復方法，其特征在于：步驟(1)中所述HF臭氧混合溶液的質量濃度為1%-10%。

3.根據權利要求1所述的反應離子刻蝕方法形成的納米絨面表面缺陷修復方法，其特征在于：步驟(1)中所述HF臭氧混合溶液在常溫條件下，O₃濃度在30-150ppm范圍內。

4.根據權利要求1所述的反應離子刻蝕方法形成的納米絨面表面缺陷修復方法，其特征在于：步驟(1)中所述臭氧使用臭氧發生器制得。

5.根據權利要求1所述的反應離子刻蝕方法形成的納米絨面表面缺陷修復方法，其特征在于：步驟(1)中所述經RIE處理后的硅片與所述HF臭氧混合溶液的反應時間為5min-15min。

6.根據權利要求1所述的反應離子刻蝕方法形成的納米絨面表面缺陷修復方法，其特征在于：步驟(2)中所述HF、HCl和去離子水混合而成的混合溶液中HF的質量濃度為1%~2.5%。

7.根據權利要求1所述的反應離子刻蝕方法形成的納米絨面表面缺陷修復方法，其特征在于：步驟(2)中所述HF、HCl和去離子水混合而成的混合溶液中HCl的質量濃度為2%~5%。

8.根據權利要求1所述的反應離子刻蝕方法形成的納米絨面表面缺陷修復方法，其特征在于：步驟(2)中所述硅片與所述HF、HCl和去離子水混合而成的混合溶液的反應時間為500s-700s。

9.根據權利要求1所述的反應離子刻蝕方法形成的納米絨面表面缺陷修復方法，其特征在于：步驟(2)中所述硅片與所述HF、HCl和去離子水混合而成的混合溶液的反應時間為600s。