[發明專利]一種帶晶界圖案的鋁合金二次陽極氧化處理方法有效
| 申請號: | 201710906217.2 | 申請日: | 2017-09-29 |
| 公開(公告)號: | CN107747115B | 公開(公告)日: | 2019-08-20 |
| 發明(設計)人: | 陳云;江占魁 | 申請(專利權)人: | 昌宏精密刀具(東莞)有限公司 |
| 主分類號: | C25D11/08 | 分類號: | C25D11/08;C25D11/12;C25D11/16;C23F1/20 |
| 代理公司: | 東莞市冠誠知識產權代理有限公司 44272 | 代理人: | 張作林 |
| 地址: | 523000 *** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 帶晶界 圖案 鋁合金 二次 陽極 氧化 處理 方法 | ||
1.一種帶晶界圖案的鋁合金二次陽極氧化處理方法,其特征在于:包括如下步驟:a、第一次拋光:對鋁合金基材表面進行拋光并清洗干凈;b、晶界蝕刻:采用蝕刻藥水浸泡基材,對其表面的晶界進行選擇性侵蝕,之后將基材取出依次進行水洗、中和、水洗處理,使材料表面呈現出明顯的晶界圖案;c、第一次陽極氧化:對基材進行第一次陽極氧化處理,工序為:陽極氧化、清洗、活化、清洗、染色、清洗、封孔、清洗、烘干;使其表面及晶界凹槽內壁上均勻生成一層帶有所需顏色的氧化膜;d、第二次拋光:對基材進行拋光處理并清洗干凈,使其表面的陽極氧化膜被均勻去除并剛好裸露出底層基材,但保留了晶界凹槽內壁上的氧化膜;e、第二次陽極氧化:對基材進行第二次陽極氧化處理,使其表面除晶界凹槽以外的區域,即晶粒表面生成一層帶有所需顏色的氧化膜,工序為:陽極氧化、清洗、活化、清洗、染色、清洗、封孔、清洗、烘干;步驟b中的蝕刻藥水由硫酸、磷酸、鋁離子、去離子水組成;硫酸與磷酸的體積比為4:0-1:3,硫酸與磷酸的體積之和與去離子水的體積比為1:3-3:1,鋁離子濃度為0.001-7g/l。
2.根據權利要求1所述的帶晶界圖案的鋁合金二次陽極氧化處理方法,其特征在于:所述步驟a中經過拋光并清洗干凈鋁合金基材表面糙度優選為低于0.1微米。
3.根據權利要求1所述的帶晶界圖案的鋁合金二次陽極氧化處理方法,其特征在于:步驟b中晶界圖案中的凹槽平均深度和平均寬度分別為10-50微米和40-110微米。
4.根據權利要求1所述的帶晶界圖案的鋁合金二次陽極氧化處理方法,其特征在于:所用硫酸質量濃度為98%,磷酸質量濃度為85%,鋁離子通過往配方中添加溶解含鋁的硫酸鹽或磷酸鹽獲得。
5.根據權利要求1所述的帶晶界圖案的鋁合金二次陽極氧化處理方法,其特征在于:蝕刻藥水的應用條件為:溫度85-95℃,浸泡時間15-60分鐘。
6.根據權利要求1所述的帶晶界圖案的鋁合金二次陽極氧化處理方法,其特征在于:所述中和處理采用1%碳酸鈉溶液,處理溫度為室溫,時間30-120秒。
7.根據權利要求1所述的帶晶界圖案的鋁合金二次陽極氧化處理方法,其特征在于:第一次陽極氧化表面生成的氧化膜厚度為6~12微米,第二次陽極氧化后表面生成的氧化膜厚度為10~15微米。
8.根據權利要求1所述的帶晶界圖案的鋁合金二次陽極氧化處理方法,其特征在于:陽極氧化條件為,槽液為180-210g/l游離硫酸,含5-15g/l鋁離子,溫度18-22℃,一次陽極氧化采用電流密度1.2-1.8A/dm2,二次陽極氧化采用電流密度0.8-1.2A/dm2。
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