[發明專利]自對準接觸孔的工藝方法

有效

• 申請號: 201710906184.1
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN107833857B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 郭振強
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L21/311;H01L21/027
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種自對準接觸孔的工藝方法，其特征在于：包含：

步驟一，在硅襯底上形成一層多晶硅，然后再形成一層氮氧化硅；

步驟二，利用柵極層次的光罩形成光刻膠圖形；然后對氮氧化硅及多晶硅進行刻蝕，形成晶體管的柵極；再對柵極上的氮氧化硅進行回刻蝕；對柵極進行快速熱退火或爐管，從而形成柵極二氧化硅保護層；

步驟三，沉積氮化硅和二氧化硅；并對硅片進行普遍刻蝕，從而形成柵極側墻；再刻蝕掉柵極側墻上和柵極頂部的氮氧化硅；進行源漏區注入及形成鈷硅合金；

步驟四，形成刻蝕阻擋層和接觸孔介質層，進行化學機械研磨，進行接觸孔刻蝕。

2.如權利要求1所述的自對準接觸孔的工藝方法，其特征在于：所述步驟一中，多晶硅及氮氧化硅均采用化學氣相沉積法。

3.如權利要求1所述的自對準接觸孔的工藝方法，其特征在于：所述步驟一中，其中氮氧化硅層的最優的厚度是形成柵極曝光時的底部抗反射涂層的厚度；最優的厚度為大于后續柵極側墻氮化硅的厚度。

4.如權利要求1所述的自對準接觸孔的工藝方法，其特征在于：所述步驟二中，用濕法工藝對柵極上的氮氧化硅進行回刻蝕；回刻蝕剩余的氮氧化硅寬度要小于等于刻蝕阻擋層的兩倍，以保證刻蝕阻擋層沉積后填充滿被刻蝕掉的氮氧化硅的寬度。

5.如權利要求1所述的自對準接觸孔的工藝方法，其特征在于：所述步驟三中，利用低壓化學沉積的方法形成氮化硅和二氧化硅，采用濕法刻蝕掉柵極側墻及柵極頂部的氮氧化硅。

6.如權利要求1所述的自對準接觸孔的工藝方法，其特征在于：所述步驟四中，利用化學氣相沉積工藝形成刻蝕阻擋層及接觸孔介質層；接觸孔采用干法刻蝕。

7.如權利要求1所述的自對準接觸孔的工藝方法，其特征在于：所述步驟四中，刻蝕阻擋層的厚度大于等于柵極頂部氮氧化硅的寬度的一半。