[發(fā)明專利]一種晶硅太陽能電池處理設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710905165.7
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN107527972A
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 奚明;吳紅星;戴虹;吳堃;夏馬來
• 申請（專利權(quán)）人: 理想晶延半導(dǎo)體設(shè)備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種晶硅太陽能電池的處理設(shè)備，其特征在于，包括：

裝載卸載腔室，用于裝載或卸載待處理的或處理完畢的基板；

鍍膜沉積腔室，所述鍍膜沉積腔室用于對所述待處理基板進行鍍膜沉積；

預(yù)處理腔室，用于對待處理的基板進行預(yù)處理；

所述預(yù)處理腔室用于氧化處理，以使基板表面形成致密的氧化硅薄膜。

2.如權(quán)利要求1所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)處理腔室中的氧化處理保持真空狀態(tài)，或所述預(yù)處理腔室的氧化處理保持非真空狀態(tài)。

3.如權(quán)利要求2所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)處理腔室設(shè)置有加熱單元，所述加熱單元用于對所述基板進行加熱處理，所述預(yù)處理腔設(shè)置有時間控制單元，用以控制所述預(yù)處理腔室的加熱時間，所述預(yù)處理腔室設(shè)置有蝶閥控制單元，所述蝶閥控制單元連于泵，用以控制對所述泵的抽氣及充氣。

4.如權(quán)利要求3所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)處理腔中設(shè)置有一噴頭，所述噴頭連接于氣流控制單元，所述氣流控制單元用以控制氣體源的通入量，所述氣流控制單元包括第一氣流控制單元和第二氣流控制單元，以使所述基板生成氧化硅薄膜。

5.如權(quán)利要求4所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)處理腔中設(shè)置有壓力讀取單元。

6.如權(quán)利要求5所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述氣體源為O3或N2O或O2或惰性氣體，所述惰性氣體起稀釋作用，所述惰性氣體為N2。

7.如權(quán)利要求6所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述第一氣流控制單元用以控制O3、N2O、O2中的一種或多種氣體的通入量，所述第二氣流控制單元用以控制N2氣體的通入量。

8.如權(quán)利要求7所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述氧化處理保持真空狀態(tài)是指所述控制蝶閥控制單元對所述預(yù)處理腔進行抽氣達到真空狀態(tài)，其次打開所述加熱裝置，在真空狀態(tài)下對預(yù)處理腔室進行加熱，再打開所述氣流控制裝置，通入氣體對所述待處理基板進行氧化處理。

9.如權(quán)利要求7所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述氧化處理保持非真空狀態(tài)是指控制所述蝶閥控制單元對所述預(yù)處理腔進行充氣升壓達到非真空狀態(tài)，其次打開所述加熱裝置，在非真空狀態(tài)下對預(yù)處理腔室進行加熱，再打開所述氣流控制裝置，通入氣體對所述待處理基板進行氧化處理。

10.如權(quán)利要求8或9所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述鍍膜沉積腔包括正面減反膜沉積腔，所述減反膜為氮化硅膜或氮氧化硅膜與氮化硅膜所構(gòu)成的雙層膜。

11.如權(quán)利要求10所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述鍍膜沉積腔包括鈍化膜沉積腔、背面減反膜沉積腔或正面減反膜沉積腔中的一種或多種，所述減反膜為氮化硅膜或氮氧化硅膜與氮化硅膜所構(gòu)成的雙層膜。

12.如權(quán)利要求11所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述鈍化膜為Al2O3。

13.如權(quán)利要求12所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述帶有氧化處理的預(yù)處理腔室與所述鍍膜沉積腔室是集成一體的機臺結(jié)構(gòu)，以簡化工藝流程、降低設(shè)備成本和占地面積。

14.如權(quán)利要求13所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述預(yù)處理腔還包括用于連續(xù)傳輸?shù)妮d板，所述預(yù)處理腔室的氧化處理與所述鍍膜沉積腔室的沉積同時進行，所述載板在機臺內(nèi)的所述裝載卸載腔室、所述鍍膜沉積腔室及所述預(yù)處理腔內(nèi)連續(xù)周期傳輸。