[發明專利]一種晶硅太陽能電池處理設備

在審

• 申請號: 201710905165.7
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN107527972A
• 公開（公告）日: 2017-12-29
• 發明（設計）人: 奚明;吳紅星;戴虹;吳堃;夏馬來
• 申請（專利權）人: 理想晶延半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0216
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產權代理事務所(普通合伙)31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種晶硅太陽能電池的處理設備，其特征在于，包括：

裝載卸載腔室，用于裝載或卸載待處理的或處理完畢的基板；

鍍膜沉積腔室，所述鍍膜沉積腔室用于對所述待處理基板進行鍍膜沉積；

預處理腔室，用于對待處理的基板進行預處理；

所述預處理腔室用于氧化處理，以使基板表面形成致密的氧化硅薄膜。

2.如權利要求1所述的處理設備，其特征在于，所述預處理腔室中的氧化處理保持真空狀態，或所述預處理腔室的氧化處理保持非真空狀態。

3.如權利要求2所述的處理設備，其特征在于，所述預處理腔室設置有加熱單元，所述加熱單元用于對所述基板進行加熱處理，所述預處理腔設置有時間控制單元，用以控制所述預處理腔室的加熱時間，所述預處理腔室設置有蝶閥控制單元，所述蝶閥控制單元連于泵，用以控制對所述泵的抽氣及充氣。

4.如權利要求3所述的處理設備，其特征在于，所述預處理腔中設置有一噴頭，所述噴頭連接于氣流控制單元，所述氣流控制單元用以控制氣體源的通入量，所述氣流控制單元包括第一氣流控制單元和第二氣流控制單元，以使所述基板生成氧化硅薄膜。

5.如權利要求4所述的處理設備，其特征在于，所述預處理腔中設置有壓力讀取單元。

6.如權利要求5所述的處理設備，其特征在于，所述氣體源為O3或N2O或O2或惰性氣體，所述惰性氣體起稀釋作用，所述惰性氣體為N2。

7.如權利要求6所述的處理設備，其特征在于，所述第一氣流控制單元用以控制O3、N2O、O2中的一種或多種氣體的通入量，所述第二氣流控制單元用以控制N2氣體的通入量。

8.如權利要求7所述的處理設備，其特征在于，所述氧化處理保持真空狀態是指所述控制蝶閥控制單元對所述預處理腔進行抽氣達到真空狀態，其次打開所述加熱裝置，在真空狀態下對預處理腔室進行加熱，再打開所述氣流控制裝置，通入氣體對所述待處理基板進行氧化處理。

9.如權利要求7所述的處理設備，其特征在于，所述氧化處理保持非真空狀態是指控制所述蝶閥控制單元對所述預處理腔進行充氣升壓達到非真空狀態，其次打開所述加熱裝置，在非真空狀態下對預處理腔室進行加熱，再打開所述氣流控制裝置，通入氣體對所述待處理基板進行氧化處理。

10.如權利要求8或9所述的處理設備，其特征在于，所述鍍膜沉積腔包括正面減反膜沉積腔，所述減反膜為氮化硅膜或氮氧化硅膜與氮化硅膜所構成的雙層膜。

11.如權利要求10所述的處理設備，其特征在于，所述鍍膜沉積腔包括鈍化膜沉積腔、背面減反膜沉積腔或正面減反膜沉積腔中的一種或多種，所述減反膜為氮化硅膜或氮氧化硅膜與氮化硅膜所構成的雙層膜。

12.如權利要求11所述的處理設備，其特征在于，所述鈍化膜為Al2O3。

13.如權利要求12所述的處理設備，其特征在于，所述帶有氧化處理的預處理腔室與所述鍍膜沉積腔室是集成一體的機臺結構，以簡化工藝流程、降低設備成本和占地面積。

14.如權利要求13所述的處理設備，其特征在于，所述預處理腔還包括用于連續傳輸的載板，所述預處理腔室的氧化處理與所述鍍膜沉積腔室的沉積同時進行，所述載板在機臺內的所述裝載卸載腔室、所述鍍膜沉積腔室及所述預處理腔內連續周期傳輸。