[發明專利]LDMOS器件

有效

• 申請號: 201710904201.8
• 申請日: 2017-09-29
• 公開（公告）號: CN107819026B
• 公開（公告）日: 2019-10-11
• 發明（設計）人: 顏樹范
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/78
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 郭四華

1.一種LDMOS器件，其特征在于，包括：

N型摻雜的漂移區；

P型摻雜的體區，所述體區的結深小于所述漂移區的結深，所述體區和所述漂移區橫向交疊；

由柵介質層和多晶硅柵疊加形成的柵極結構，所述多晶硅柵覆蓋所述體區的表面且所述多晶硅柵的第二側面延伸到所述漂移區的表面；被所述多晶硅柵所覆蓋的所述體區表面用于形成溝道，被所述多晶硅柵所覆蓋的所述漂移區為積累層區域；

源區形成于所述體區表面并和所述多晶硅柵的第一側面自對準；

漏區形成于所述漂移區表面并和所述多晶硅柵的第二側面相隔一段距離；

在所述漏區的遠離所述柵極結構一端的外側的所述漂移區中形成有由P+區組成的空穴注入區；所述空穴注入區的深度大于所述漏區的深度；在所述積累層區域中形成有由N型摻雜區組成的電荷存儲區；所述空穴注入區在器件導通時提供空穴注入以減少導通電阻，所述電荷存儲區用于對空穴漂移進行阻擋；

所述電荷存儲區的摻雜濃度大于所述漂移區的摻雜濃度以及所述電荷存儲區的摻雜濃度小于所述體區的摻雜濃度，使器件截止時所述漂移區的耗盡由所述體區和所述漂移區的摻雜濃度決定。

2.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述空穴注入區的結深小于等于所述漂移區的結深。

3.如權利要求1或2所述的LDMOS器件，其特征在于：所述電荷存儲區的結深和所述空穴注入區的結深相當。

4.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述漂移區由深N阱組成。

5.如權利要求4所述的LDMOS器件，其特征在于：所述深N阱形成于半導體襯底表面。

6.如權利要求5所述的LDMOS器件，其特征在于：所述半導體襯底為P型摻雜。

7.如權利要求5或6所述的LDMOS器件，其特征在于：所述半導體襯底為硅襯底。

8.如權利要求7所述的LDMOS器件，其特征在于：所述柵介質層為柵氧化層。

9.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：在所述體區的表面還形成有由P+區組成的體引出接觸區。

10.如權利要求9所述的LDMOS器件，其特征在于：所述源區和所述體引出接觸區都通過接觸孔連接到由正面金屬層組成的源極。

11.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述空穴注入區和所述漏區橫向接觸。

12.如權利要求11所述的LDMOS器件，其特征在于：所述空穴注入區和所述漏區都通過接觸孔連接到由正面金屬層組成的漏極。

13.如權利要求1所述的LDMOS器件，其特征在于：所述多晶硅柵的頂部通過接觸孔連接到由正面金屬層組成的柵極。