[發明專利]一種低溫下具有閾值電阻轉變功能的材料及其制備方法有效
| 申請號： | 201710903676.5 | 申請日： | 2017-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN107749441B | 公開（公告）日： | 2020-09-25 |
| 發明（設計）人： | 黃仕華;陳達 | 申請（專利權）人： | 浙江師范大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 杭州之江專利事務所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱楓 |
| 地址： | 321004 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低溫 具有 閾值 電阻 轉變 功能 材料 及其 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種在300k-77k低溫下具有閾值電阻轉變功能的動態存儲器，具有多層堆疊的三維結構，其特征在于：自下而上分別為鋁質背電極層、p型重摻雜硅片層、氮化硅SiN層、金屬上電極層。
2.如權利要求1所述的一種在300k-77k低溫下具有閾值電阻轉變功能的動態存儲器，其特征在于：金屬上電極層為銀電極，形狀為圓形，直徑小于500μm。
3.一種權利要求1所述動態存儲器的制備方法，包括以下步驟：
1)選用電阻率低于0.001Ω.cm，厚度小于750μm的p型重摻雜硅片，進行標準RCA清洗；
2)在清洗后的硅片正面上利用物理氣相沉積法或化學氣相沉積法氮化硅SiN層，沉積厚度10-100nm；
3)利用光刻工藝或者金屬掩膜版定義上電極尺寸和形貌，利用物理氣相沉積法沉積上電極；
4)利用物理氣相沉積法在步驟1)的硅片背面沉積鋁電極，厚度為100-500nm，快速熱退火，形成歐姆接觸。
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