[發(fā)明專利]膜層檢測(cè)方法、裝置及膜層檢測(cè)系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201710902942.2 | 申請(qǐng)日: | 2017-09-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107727654B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-12-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安亞斌;張鐵軼;權(quán)基瑛;閆小寶;李彥生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 綿陽(yáng)京東方光電科技有限公司;京東方科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01N21/84 | 分類號(hào): | G01N21/84 |
| 代理公司: | 11138 北京三高永信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 滕一斌 |
| 地址: | 621000 四川省*** | 國(guó)省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 檢測(cè) 方法 裝置 系統(tǒng) | ||
1.一種膜層檢測(cè)方法,其特征在于,所述膜層檢測(cè)方法用于檢測(cè)設(shè)置在基板上的至少一層膜層,所述方法包括:
在所述基板傳輸過(guò)程中,采用光源從所述基板設(shè)置有膜層的一側(cè)進(jìn)行照射;
從所述基板設(shè)置有膜層的一側(cè),采集膜層圖像,所述膜層圖像包括被照射的所述至少一層膜層的圖像;
根據(jù)所述膜層圖像的亮度分布,確定所述基板的亮度特征曲線,所述亮度特征曲線用于反映所述基板上各膜層在平行于所述基板的傳輸方向上的亮度分布;
根據(jù)所述基板的亮度特征曲線,確定所述至少一層膜層中最上層膜層的類型。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述亮度特征曲線的橫坐標(biāo)表征所述基板上的位置,縱坐標(biāo)表征亮度或光感度,
所述根據(jù)所述基板的亮度特征曲線,確定所述至少一層膜層中最上層膜層的類型,包括:
將所述基板的亮度特征曲線中每個(gè)波谷所在位置確定為一個(gè)膜層的邊界位置;
基于確定的膜層的邊界位置,確定所述最上層膜層的邊界位置;
基于所述最上層膜層的邊界位置,確定所述最上層膜層對(duì)應(yīng)的膜層類型。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述亮度特征曲線的橫坐標(biāo)表征所述基板上的位置,縱坐標(biāo)表征亮度或光感度,所述方法還包括:
當(dāng)所述最上層膜層為指定膜層時(shí),檢測(cè)所述最上層膜層在所述亮度特征曲線中對(duì)應(yīng)的波谷的深度及寬度;
基于檢測(cè)結(jié)果,確定所述最上層膜層的膜層狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法,其特征在于,所述最上層膜層的膜層類型為有機(jī)膜層,
所述基于檢測(cè)結(jié)果,確定所述最上層膜層的膜層狀態(tài),包括:
當(dāng)所述深度大于預(yù)設(shè)深度閾值,且所述寬度大于預(yù)設(shè)寬度閾值時(shí),確定所述有機(jī)膜層的膜層狀態(tài)為濕態(tài);
當(dāng)所述深度不大于預(yù)設(shè)深度閾值,或者所述寬度不大于預(yù)設(shè)寬度閾值時(shí),確定所述有機(jī)膜層的膜層狀態(tài)為干態(tài)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的方法,其特征在于,
所述根據(jù)所述膜層圖像的亮度分布,確定所述基板的亮度特征曲線,包括:
將所述膜層圖像轉(zhuǎn)化為灰度圖像;
根據(jù)所述灰度圖像確定所述基板的亮度特征曲線。
6.一種膜層檢測(cè)裝置,其特征在于,包括:
光源、圖像采集組件和圖像分析組件,
所述光源位于基板設(shè)置有膜層的一側(cè),被配置為在所述基板傳輸過(guò)程中,照射所述基板設(shè)置有膜層的一側(cè);
所述圖像采集組件,被配置為從所述基板設(shè)置有膜層的一側(cè),采集膜層圖像,所述膜層圖像包括被照射的至少一層膜層的圖像;
所述圖像分析組件,被配置為根據(jù)所述膜層圖像的亮度分布,確定所述基板的亮度特征曲線,所述亮度特征曲線用于反映所述基板上各膜層在平行于所述基板的傳輸方向上的亮度分布,根據(jù)所述基板的亮度特征曲線,確定所述至少一層膜層中最上層膜層的類型。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置,其特征在于,
所述圖像采集組件包括陣列排布的多個(gè)相機(jī),所述多個(gè)相機(jī)的排布方向與所述基板的傳輸方向垂直。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置,其特征在于,
所述光源為所述圖像采集組件的同軸光源,所述同軸光源到所述基板的光程與所述圖像采集組件到所述基板的光程相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置,其特征在于,
所述光源包括多個(gè)環(huán)狀光源,所述多個(gè)環(huán)狀光源與所述多個(gè)相機(jī)一一對(duì)應(yīng)設(shè)置,每個(gè)環(huán)狀光源圍繞對(duì)應(yīng)的相機(jī)設(shè)置。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置,其特征在于,
所述相機(jī)為電荷耦合元件CCD相機(jī);
所述環(huán)狀光源為近紅外光源。
11.根據(jù)權(quán)利要求6至10任一所述的裝置,其特征在于,
所述膜層檢測(cè)裝置還包括:輔助光源,所述輔助光源位于所述基板未設(shè)置有膜層的一側(cè),被配置為照射所述基板未設(shè)置有膜層的一側(cè)。
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- 專利分類
G01N 借助于測(cè)定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見(jiàn)光或紫外光來(lái)測(cè)試或分析材料
G01N21-01 .便于進(jìn)行光學(xué)測(cè)試的裝置或儀器
G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
G01N21-84 .專用于特殊應(yīng)用的系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法和檢測(cè)組件
- 檢測(cè)方法、檢測(cè)裝置和檢測(cè)系統(tǒng)
- 檢測(cè)裝置、檢測(cè)方法以及記錄介質(zhì)
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- 檢測(cè)芯片、檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)系統(tǒng)和檢測(cè)方法
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