[發(fā)明專利]一種基于多層石墨烯輔助層的三維硅通孔垂直互聯(lián)方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710901161.1
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN107658264A
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陸向?qū)?/a>;宿磊;何貞志;樊夢瑩;劉凡
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇師范大學(xué)
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于多層石墨烯輔助層的三維硅通孔垂直互聯(lián)方法，其特征在于，包括以下步驟：

a.在硅基片(1)上制作硅孔(8)；

b.在硅基片(1)表面及硅孔(8)內(nèi)壁沉積絕緣層(2)；

c.在絕緣層(2)上沉積阻擋層(3)；

d.在阻擋層(3)表面上形成多層石墨烯輔助層(4)；

e.在硅基片(1)表面上的多層石墨烯輔助層(4)上貼干膜，然后曝光、顯影形成干膜層(5)；

f.在硅孔(8)底面和干膜層(5)表面上沉積種子層(6)；

g.在硅孔(8)內(nèi)填充導(dǎo)電材料(7)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多層石墨烯輔助層的三維硅通孔垂直互聯(lián)方法，其特征在于，所述步驟a中硅孔(8)的制作采用深反應(yīng)離子刻蝕、激光刻蝕或濕法腐蝕法刻蝕。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多層石墨烯輔助層的三維硅通孔垂直互聯(lián)方法，其特征在于，所述步驟b中沉積的絕緣層(2)采用熱氧化、化學(xué)氣相沉積或者物理氣相沉積方法制作，材料為二氧化硅、氧化鋁、聚酰亞胺、聚對二甲苯或光刻膠。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多層石墨烯輔助層的三維硅通孔垂直互聯(lián)方法，其特征在于，所述步驟c中沉積的阻擋層(3)采用物理氣相淀積、原子層淀積或化學(xué)氣相淀積方法制作，材料為鈦、氮化鈦、鉭、氮化鉭。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多層石墨烯輔助層的三維硅通孔垂直互聯(lián)方法，其特征在于，所述步驟d中多層石墨烯采用氧化還原法制備，并采用濕法工藝在阻擋層(3)形成多層石墨烯輔助層(4)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多層石墨烯輔助層的三維硅通孔垂直互聯(lián)方法，其特征在于，所述步驟f中種子層(6)采用物理氣相淀積、原子層淀積或者化學(xué)氣相淀積方法制作，材料可以是金或者銅。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多層石墨烯輔助層的三維硅通孔垂直互聯(lián)方法，其特征在于，所述步驟f中干膜層(5)的孔直徑小于硅孔(8)直徑。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于多層石墨烯輔助層的三維硅通孔垂直互聯(lián)方法，其特征在于，所述步驟g中以種子層(6)為引導(dǎo)對硅孔(8)內(nèi)進(jìn)行電鍍填充導(dǎo)電材料(7)。