[發明專利]一種超寬電壓輔助電源PWM芯片的啟動電路有效
| 申請號: | 201710901014.4 | 申請日: | 2017-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN107508458B | 公開(公告)日: | 2021-11-12 |
| 發明(設計)人: | 王中于;王生輝 | 申請(專利權)人: | 廣州中逸光電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M1/36 | 分類號: | H02M1/36 |
| 代理公司: | 佛山幫專知識產權代理事務所(普通合伙) 44387 | 代理人: | 顏春艷 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市經濟*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電壓 輔助 電源 pwm 芯片 啟動 電路 | ||
1.一種超寬電壓輔助電源PWM芯片的啟動電路,其特征在于,包括電壓切換開關電路(1)、電壓檢測電路(2)和充電電路(3);電壓切換開關電路(1)由MOS管Q1、電阻R4和電阻R5組成;電壓檢測電路(2)由MOS管Q2、電阻R7和電阻R8組成;充電電路(3)由電阻R1和電阻R2組成;MOS管Q1的漏極連接于電阻R1和電阻R2的一端,電阻R1的另一端接到電壓輸入接口+Vin端,電阻R2的另一端連接于MOS管Q1的源極以及MOS管Q2的源極,MOS管Q1的柵極與MOS管Q2的漏極相連;MOS管Q1的柵極與MOS管Q2的漏極的連接線上還連接電阻R4接到電壓輸入接口+Vin端,以及連接電阻R5分別接到MOS管Q1和MOS管Q2的源極;電阻R2的另一端還連接于電容C1的正極和二極管D1的陰極,電容C1的負極串聯電阻R8接到MOS管Q2的柵極并接地;二極管D1的陽極與輔助繞組N1相連后接地;MOS管Q2的柵極還串聯電阻R7接到電壓輸入接口+Vin端;
電壓輸入接口+Vin端輸入的寬電壓為直流200V-600V;
寬電壓分為最低輸入電壓Vinmin=200V,正常工作電壓Vinnor=400V,最高輸入電壓Vinmax=600V;
其中Vinmax=3Vinmin,Vinnor=(Vinmin+Vinmax)/2=2Vinmin=2/3Vinmax;
當輸入電壓在Vinmin和Vinnor時,電阻R7和電阻R8分壓后的電壓值小于MOS管Q2的開通電壓,MOS管Q2處于關斷狀態;
電阻R4和電阻R5分壓后的電壓值大于MOS管Q1的開通電壓,MOS管Q1導通,充電電阻R2短路,此時對PWM芯片VCC充電路徑是電壓輸入Vin→電阻R1→電容C1,充電電流分為以下幾種情況:
當輸入電壓等于Vinmin時,充電電流為最小:Imin=Vinmin/R1=Vinmax/2R1;
當輸入電壓等于Vinnor時,充電電流為最大:Imax=Vinnor/R1=400VDC/4MΩ=100uA;
充電電流的最大值與最小值比為:Imax:Imin=1:2;充電電路產生的最大損耗是:P1=Imax*Vinnor=100uA*400VDC=40mW;MOS管Q1的電壓為0V。
2.如權利要求1所述的一種超寬電壓輔助電源PWM芯片的啟動電路,其特征在于,
當輸入電壓在Vinnor和Vinmax時,電阻R7和電阻R8分壓電阻分壓后的電壓值大于MOS管Q2的開通電壓,MOS管Q2導通,MOS管Q1的柵極和源極短路,MOS管Q1處于關斷,此時對PWM芯片VCC充電路徑是電壓輸入Vin→電阻R1→電阻R2→電容C1;對PWM芯片VCC充電電流分為以下幾種情況:
當輸入電壓等于Vinnor時,充電電流為最小:Imin=Vinnor/(R1+R2)=400VDC/8MΩ=50uA;
當輸入電壓等于Vinmax時,充電電流為最大:Imax=Vinmax/(R1+R2)=600VDC/8MΩ=75uA;
充電電流的最大值與最小值比為:Imax:Imin=1:1.25;充電電路產生的最大損耗是:P1=Imax*Vinmax=75uA*600VDC=45mW;Q1的電壓為:VQ1=Vinmax*R2/(R1+R2)=1/2Vinmax=300VDC。
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H02M1-00 變換裝置的零部件
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H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路,例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備,例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置





