[發(fā)明專(zhuān)利]陣列基板及其制作方法與液晶顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201710899627.9
• 申請(qǐng)日: 2017-09-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107561804B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 徐洪遠(yuǎn)
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): G02F1/1362
• 分類(lèi)號(hào): G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/12;H01L21/84
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種陣列基板，其特征在于，包括基板(700)，所述基板(700)上設(shè)有柵線(xiàn)(110)、數(shù)據(jù)線(xiàn)(470)，所述柵線(xiàn)(110)與數(shù)據(jù)線(xiàn)(470)交叉構(gòu)成多個(gè)像素區(qū)域(800)，每個(gè)所述像素區(qū)域(800)包括主像素區(qū)域(810)和次像素區(qū)域(820)，所述主像素區(qū)域(810)包括第一薄膜晶體管(T1)，所述次像素區(qū)域(820)包括第二薄膜晶體管(T2)和第三薄膜晶體管(T3)；所述數(shù)據(jù)線(xiàn)(470)上方設(shè)置有遮光電極(610)；其中：

所述第一薄膜晶體管(T1)的柵極與所述柵線(xiàn)(110)連接，源極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)(470)連接，漏極與所述主像素區(qū)域(810)的主像素電極(620)連接；

所述第二薄膜晶體管(T2)的柵極與所述柵線(xiàn)(110)連接，源極與所述數(shù)據(jù)線(xiàn)(470)連接，漏極與所述次像素區(qū)域(820)的次像素電極(630)連接；

所述第三薄膜晶體管(T3)的柵極與所述柵線(xiàn)(110)連接，源極與所述遮光電極(610)連接，漏極與所述次像素區(qū)域(820)的次像素電極(630)連接；

所述第三薄膜晶體管(T3)的源極與所述遮光電極(610)之間設(shè)有第二絕緣層(500)，所述第二絕緣層(500)設(shè)有第一過(guò)孔(510)，所述遮光電極(610)通過(guò)所述第一過(guò)孔(510)與所述第三薄膜晶體管(T3)的源極連接；

所述陣列基板還包括設(shè)于基板(700)上的第一金屬層(100)、覆蓋第一金屬層(100)的第一絕緣層(200)、設(shè)于第一絕緣層(200)上的有源層(300)、設(shè)于第一絕緣層(200)及有源層(300)上的第二金屬層(400)；所述第二絕緣層(500)覆蓋有源層(300)及第二金屬層(400)；所述主像素電極(620)、次像素電極(630)均設(shè)于第二絕緣層(500)上；

所述柵線(xiàn)(110)位于第一金屬層(100)，所述柵線(xiàn)(110)上對(duì)應(yīng)主像素區(qū)域(810)設(shè)有第一柵極區(qū)域(111)，對(duì)應(yīng)次像素區(qū)域(820)設(shè)有間隔的第二柵極區(qū)域(112)及第三柵極區(qū)域(113)；

所述有源層(300)包括：分別對(duì)應(yīng)位于第一柵極區(qū)域(111)、第二柵極區(qū)域(112)、及第三柵極區(qū)域(113)上方的第一半導(dǎo)體圖案(310)、第二半導(dǎo)體圖案(320)、及第三半導(dǎo)體圖案(330)；

所述數(shù)據(jù)線(xiàn)(470)位于第二金屬層(400)，所述第二金屬層(400)還包括第一漏極(410)、與第一漏極(410)間隔的第一源極(420)、與第一源極(420)連接的第二源極(430)、與第二源極(430)間隔的第二漏極(440)、與第二漏極(440)連接的第三漏極(450)、與第三漏極(450)間隔的第三源極(460)，所述數(shù)據(jù)線(xiàn)(470)連接第一源極(420)及第二源極(430)，所述第一源極(420)、第一漏極(410)分別與第一半導(dǎo)體圖案(310)相連，所述第二源極(430)、第二漏極(440)分別與第二半導(dǎo)體圖案(320)相連，所述第三源極(460)、第三漏極(450)分別與第三半導(dǎo)體圖案(330)相連；

第一柵極區(qū)(111)、第一半導(dǎo)體圖案(310)、第一源極(420)、第一漏極(410)構(gòu)成第一薄膜晶體管(T1)；第二柵極區(qū)(112)、第二半導(dǎo)體圖案(320)、第二源極(430)、第二漏極(440)構(gòu)成第二薄膜晶體管(T2)；第三柵極區(qū)(113)、第三半導(dǎo)體圖案(330)、第三漏極(450)、第三源極(460)構(gòu)成第三薄膜晶體管(T3)。

2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光電極(610)位于數(shù)據(jù)線(xiàn)(470)上方且將數(shù)據(jù)線(xiàn)(470)遮住。

3.如權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光電極(610)上的電壓與彩色濾光片基板上的公共電極的電壓相同。

4.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二絕緣層(500)在第一漏極(410)上方設(shè)有第二過(guò)孔(520)，所述主像素電極(620)經(jīng)由第二過(guò)孔(520)與第一漏極(410)接觸；所述第二絕緣層(500)在第二漏極(440)或第三漏極(450)上方設(shè)有第三過(guò)孔(530)，所述次像素電極(630)經(jīng)由第三過(guò)孔(530)與第二漏極(440)及第三漏極(450)接觸。