[發明專利]無水基板清潔組合物、基板處理方法和基板處理裝置

在審

• 申請號: 201710899501.1
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN107881032A
• 公開（公告）日: 2018-04-06
• 發明（設計）人: 姜基文;A·科里阿金;鄭仁一;崔海園
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: C11D7/08
• 分類號: C11D7/08;C11D7/10;C11D7/26;C11D11/00;H01L21/02;H01L21/67
• 代理公司: 北京市中倫律師事務所11410
• 代理人: 石寶忠

技術領域

本文所述的發明構思的實施方式涉及無水基板清潔組合物、基板處理方法和基板處理裝置。

背景技術

半導體器件通過各種工序(例如在諸如硅晶片的基板上形成電路圖案的光刻工序)制造。在制造半導體器件的工藝中，產生諸如顆粒、有機污染物、金屬雜質等各種異物。異物會引起基板缺陷，成為直接影響半導體器件的性能和產率的因素。因此，制造半導體器件的工藝基本上伴有用于去除異物的清潔工序。

清潔工序通過如下進行：去除基板上的異物的化學過程，用純水洗滌化學品的洗滌過程和干燥基板的干燥過程。一般的干燥過程通過如下方法進行：用有機溶劑(如具有較低表面張力的異丙醇(IPA))置換基板上的純水并將其蒸發。此外，即使在干燥過程中使用有機溶劑，具有線寬為30nm以下的精細電路圖案的半導體也可能發生圖案塌陷。

發明內容

本發明構思的實施方式提供了可以有效地處理基板的無水基板清潔組合物、基板處理方法和基板處理裝置。

本發明構思的實施方式還提供了具有改進的清潔效率的無水基板清潔組合物、基板處理方法和基板處理裝置。

本發明構思的實施方式還提供了可以防止圖案塌陷的無水基板清潔組合物、基板處理方法和基板處理裝置。

本發明構思的目的不限于上述內容。本發明構思所屬領域的技術人員將從以下描述中清楚地理解未提及的其它技術目的。

根據本發明構思的一個方面，提供了一種基板清潔組合物，包括：蝕刻化合物，其提供用于處理基板的組分；和溶劑，其溶解蝕刻化合物，其中所述基板清潔組合物是不包含水的無水組合物。

蝕刻化合物可以包括氟。

蝕刻化合物可以是氟化銨。

蝕刻化合物可以是氟化氫。

溶劑可以是乙酸酐。

溶劑可以是乙酸。

溶劑可以是碳酸丙烯酯(propylene carbonate)。

基板清潔組合物還可以包括相變助劑材料，其提高超臨界流體的溶解度。

相變助劑材料可以是醇。

相變助劑材料可以是異丙醇。

相變助劑材料可以是甲醇。

相變助劑材料可以是乙醇。

基板清潔組合物還可以包括粘合劑，其防止從基板分離的顆粒再次附著到基板。

粘合劑可以是異丙氧基乙醇。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種基板清潔組合物，包括：蝕刻化合物，其提供用于處理基板的組分；溶劑，其溶解所述蝕刻化合物；和相變助劑材料，其提高超臨界流體的溶解度。

基板清潔組合物還可以包括粘合劑，其防止從基板分離的顆粒再次附著到基板上。

蝕刻化合物可以是氟化銨，溶劑可以是乙酸酐。

相變助劑材料可以是異丙醇。

粘合劑是異丙氧基乙醇。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種基板處理方法，包括：將包括蝕刻化合物和溶劑的基板清潔組合物施加到停止運動的基板上；以及通過將超臨界流體供應到基板來清潔基板，其中所述基板清潔組合物包括：蝕刻化合物，其提供用于處理基板的組分；和溶劑，其溶解蝕刻化合物，并且其中所述基板清潔組合物是不包含水的無水組合物。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種基板處理方法，包括：通過將包括蝕刻化合物和溶劑的基板清潔組合物供應到正在旋轉的基板來清潔基板；以及通過向基板供應超臨界流體來干燥基板，其中所述基板清潔組合物包括：蝕刻化合物，其提供用于處理基板的組分；和溶劑，其溶解蝕刻化合物，并且其中所述基板清潔組合物是不包含水的無水組合物。

根據本發明構思的另一方面，提供了一種基板處理方法，包括通過將包括蝕刻化合物和溶劑的基板清潔組合物與超臨界流體混合并將混合物供應到基板來處理基板，其中所述基板清潔組合物包括：蝕刻化合物，其提供用于處理基板的組分；和溶劑，其溶解蝕刻化合物，并且其中所述基板清潔組合物是不包含水的無水組合物。

蝕刻化合物可以是氟化銨。

溶劑可以是無水乙酸。

基板清潔組合物還可以包括相變助劑材料，其提高超臨界流體的溶解度。

基板清潔組合物還可以包括粘合劑。

超臨界流體可以是二氧化碳(CO₂)。