[發明專利]透明導電膜及其制備方法和光傳輸控制裝置及其制備方法在審
| 申請號: | 201710898772.5 | 申請日: | 2017-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN107765451A | 公開(公告)日: | 2018-03-06 |
| 發明(設計)人: | 黃勝云;任付強;馬冬玲;朱海寧;趙世勇;張達瑋;肖淑勇 | 申請(專利權)人: | 中山市珀麗優材料科技有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/01 | 分類號: | G02F1/01;H01B5/14 |
| 代理公司: | 北京市隆安律師事務所11323 | 代理人: | 權鮮枝,何立春 |
| 地址: | 528414 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 導電 及其 制備 方法 傳輸 控制 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及薄膜技術領域,特別涉及一種透明導電膜及其制備方法和光傳輸控制裝置及其制備方法。
背景技術
透明導電膜(TCF)是一種在光學上允許光子通過或傳輸(即透明),同時在電學上允許電子通過或傳輸(即導電)的薄膜。因此,透光率和電導率作為透明導電膜的兩個技術特征,并且對于諸多光電器件來說,光子和電子的傳導都是十分重要的,如顯示器(液晶顯示器(LCD)、無機發光二極管(LEDs)和有機發光二極管(OLEDs))、光伏器件、觸摸屏和電致變色玻璃等。在這些器件當中,TCF作為電極,當光電子元件被電子或光子激發,激發出的光子通過電極被注入和導出。
在一些應用當中,電子被注入到器件的活性成分中,活性成分將電子能量轉換成光子,然后通過透明電極發射出光,例如LED和OLED器件。在一些其他應用當中,光子通過透明電極注入到器件活性成分中,并且激發活性成分將光子轉換成電荷,電荷由裝置中的電極(如光伏器件和光電傳感器)收集。另外,還有一些應用,通過向兩個電極之間施加電壓并產生電磁場,夾心部位的活性組分會發生化學反應。鑒于透明導電膜的廣泛應用,對其的要求不僅僅是透光率和導電性良好,其柔性、穩定性和成本都要滿足要求。但是,現有技術中的透明導電膜不能同時滿足上述的要求。
發明內容
鑒于上述問題,提出了本發明的一種透明導電膜及其制備方法和光傳輸控制裝置及其制備方法,以便同時滿足上述要求。
根據本發明的一個方面,提供了一種透明導電膜,所述透明導電膜包括:透明基底和銅-還原氧化石墨烯-核殼納米線膜;
所述銅-還原氧化石墨烯-核殼納米線膜沉積在所述透明基底上。
可選地,所述透明基底為玻璃或者聚合物。
可選地,所述銅-還原氧化石墨烯-核殼納米線膜的厚度是50納米至250納米。
可選地,所述銅-還原氧化石墨烯-核殼納米線膜的透光率是75%-95%。
可選地,所述銅-還原氧化石墨烯-核殼納米線膜的方阻是10歐姆至100歐姆。
可選地,一種光傳輸控制裝置,所述裝置包括:第一透明導電膜、第二透明導電膜以及填充在所述第一透明導電膜和所述第二透明導電膜之間的聚合物基質層;
所述第一透明導電膜和/或所述第二透明導電膜是如前所述的透明導電膜,所述聚合物基質層填充在所述第一透明導電膜的銅-還原氧化石墨烯-核殼納米線膜和所述第二透明導電膜的銅-還原氧化石墨烯-核殼納米線膜之間。
可選地,所述聚合物基質層包括聚合物基體材料和多個懸浮顆粒,每個所述懸浮顆粒包括懸浮介質和多個光偏振粒子;
所述懸浮顆粒的懸浮介質材料不同于聚合物基體材料,且所述懸浮顆粒在聚合物基體材料中以液態或凝膠形式懸浮。
可選地,所述聚合物基體材料是交聯聚硅氧烷或丙烯酸酯;若所述聚合物基體材料是丙烯酸酯,所述懸浮顆粒的懸浮介質材料是硅油或者三苯三酸異十三醇酯;
所述懸浮顆粒的光偏振粒子是多鹵化物,或二氧化鈦,或碘硫酸奎寧。
可選地,每個所述光偏振粒子的長度是100納米至500納米,直徑是20納米至100納米。
可選地,所述聚合物基質層的厚度為20微米至250微米。
根據本發明的又一個方面,提供了一種透明導電膜的制備方法,所述方法包括:
制備所述銅-氧化石墨烯-核殼納米線膜;
將所述銅-氧化石墨烯-核殼納米線膜轉移至透明基底上,將所述透明基底上的所述銅-氧化石墨烯-核殼納米線膜還原成銅-還原氧化石墨烯-核殼納米線膜,所述透明基底和所述銅-還原氧化石墨烯-核殼納米線膜組成透明導電膜。
可選地,所述制備所述銅-氧化石墨烯-核殼納米線膜包括:
攪拌氧化石墨烯和銅納米線的異丙醇懸浮液的混合物,獲得銅-氧化石墨烯-核殼納米線的分散液;
真空過濾所述銅-氧化石墨烯-核殼納米線的分散液,獲得所述銅/氧化石墨烯核殼納米膜。
可選地,所述將所述銅-氧化石墨烯-核殼納米線膜轉移至透明基底上還包括:
對所述透明基底上的所述銅-氧化石墨烯-核殼納米線膜施加預設壓力值,并持續第一預設時間。
可選地,所述將所述透明基底上的所述銅-氧化石墨烯-核殼納米線膜還原成銅-還原氧化石墨烯-核殼納米線膜包括:
將所述透明基底以及所述透明基底上的所述銅-氧化石墨烯-核殼納米線膜置于還原氣氛中,在預設溫度下進行熱退火;
或者,
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