[發明專利]一種IGBT功率模塊有效
| 申請號: | 201710898035.5 | 申請日: | 2017-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN109585432B | 公開(公告)日: | 2020-07-14 |
| 發明(設計)人: | 石廷昌;陳燕平;黃南;蔣云富;熊輝;邵強;胡長風;劉敏安;王世平;忻蘭苑;李保國 | 申請(專利權)人: | 株洲中車時代電氣股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07;H01L23/32 |
| 代理公司: | 北京聿華聯合知識產權代理有限公司 11611 | 代理人: | 劉華聯 |
| 地址: | 412001 湖*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 igbt 功率 模塊 | ||
本發明提出了一種IGBT功率模塊,該IGBT功率模塊包括上端板;下端板;設置在上端板和下端板之間的IGBT組件,IGBT組件具有偶數個串聯的IGBT子單元、接觸式設置在相鄰的IGBT子單元之間第一電氣連接件、接觸式設置在最上端的IGBT子單元的上表面的第二電氣連接件和接觸式設置在最下端的IGBT子單元的下表面的第三電氣連接件;設置在上端板和第二電氣連接件之間的上絕緣板;設置在下端板和第三電氣連接件之間的下絕緣板;用于連接上端板和下端板的連接桿,該IGBT功率模塊采用壓裝設計,其具有較高的耐壓及通流能力。
技術領域
本發明涉及功率電力電子器件技術領域,具體涉及一種IGBT功率模塊。
背景技術
隨著IGBT應用領域的不斷拓展,對IGBT器件的性能要求也越來越高。較高的IGBT器件功率等級和很高的可靠性是IGBT器件的發展趨勢。
但是,現有技術中,IGBT器件結構主要為焊接灌封式。此種設計結構通流能力及耐壓有限,限制了其在工程領域的應用拓展。
由此,需要一種耐壓性能更好的IGBT功率模塊是丞待解決的技術問題。
發明內容
針對現有技術中所存在的上述技術問題的部分或者全部,本發明提出了一種IGBT功率模塊。該IGBT功率模塊采用壓裝設計,其具有較高的耐壓及通流能力。
根據本發明提出了一種IGBT功率模塊,包括:
上端板,
下端板,
設置在上端板和下端板之間的IGBT組件,IGBT組件具有偶數個串聯的IGBT子單元、接觸式設置在相鄰的IGBT子單元之間第一電氣連接件、接觸式設置在最上端的IGBT子單元的上表面的第二電氣連接件和接觸式設置在最下端的IGBT子單元的下表面的第三電氣連接件,
設置在上端板和第二電氣連接件之間的上絕緣板,
設置在下端板和第三電氣連接件之間的下絕緣板,
用于連接上端板和下端板的連接桿。
在一個實施例中,在上絕緣板和上端板之間設置上承壓組件,上承壓組件具有第一承壓盤,
在下絕緣板和下端板之間設置下承壓盤。
在一個實施例中,上承壓組件還包括與第一承壓盤相對式設置的第二承壓盤和嵌入式設置在第一承壓盤和第二承壓盤之間的圓球件。
在一個實施例中,在上承壓組件和上端板之間設置緩沖件。
在一個實施例中,上絕緣板的外周面上構造有周向延伸的第一槽,
和/或下絕緣板的外周面上構造有周向延伸的第二槽。
在一個實施例中,上絕緣板的上端面構造有用于嵌入第一承壓組件的第一凹槽,
和/或下絕緣板的下端面構造有用于嵌入下承壓盤的第二凹槽。
在一個實施例中,第一電氣連接件、第二電氣連接件和第三電氣連接件中的至少一個構造為箱體,并在箱體的側壁上構造有入口和出口,且在箱體的內部構造有用于連通入口和出口的流道。
在一個實施例中,在箱體的側壁上設置有板狀的連接部,并在連接部上構造有連接孔。
在一個實施例中,在第二電氣連接件和上絕緣板之間設置用于定位的銷釘。
在一個實施例中,在連接桿的外壁上套設有絕緣套。
與現有技術相比,本發明的優點在于,該IGBT功率模塊采用上端板和下端板壓裝式設置,使得該IGBT功率模塊具有較高的耐壓和通流能力。
附圖說明
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