[發明專利]用于OLED應用的PECVD HMDSO膜的等離子體固化

有效

• 申請號: 201710897728.2
• 申請日: 2014-02-12
• 公開（公告）號: CN107482137B
• 公開（公告）日: 2019-06-07
• 發明（設計）人: J·J·陳;崔壽永
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L51/56
• 分類號: H01L51/56;H01L51/52;C23C16/40;C23C16/56
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國

1.一種用于形成有機發光二極管(OLED)器件的方法，所述方法包括：

將第一阻擋層沉積在基板的區域上，所述區域上設置有OLED結構；

將緩沖層沉積在所述第一阻擋層上；

利用含氟等離子體將所述緩沖層固化；以及

將第二阻擋層沉積在所述固化的緩沖層上。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述緩沖層包含等離子體聚合的六甲基二硅氧烷(pp-HMDSO)。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，固化時間與所述緩沖層的厚度有關系，其中所述關系是每微米1分鐘。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述含氟等離子體包含NF₃、SiF₄、F₂、CF₄或其任何組合。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層及所述緩沖層的沉積以及所述緩沖層的固化在單個工藝腔室中進行。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述單個工藝腔室是PECVD腔室。

7.一種形成OLED器件的方法，所述方法包括：

將接觸層形成在基板上；

將OLED結構形成在所述接觸層上；

將第一阻擋層沉積在所述OLED結構上；

將緩沖層沉積在所述第一阻擋層上；

利用含氟等離子體將所述緩沖層固化；以及

將第二阻擋層沉積在所述固化的緩沖層上。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述緩沖層包含等離子體聚合的六甲基二硅氧烷(pp-HMDSO)。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，固化時間與所述緩沖層的厚度有關系，其中所述關系是每微米1分鐘。

10.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述含氟等離子體包含NF₃、SiF₄、F₂、CF₄或其任何組合。

11.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一阻擋層和所述第二阻擋層及所述緩沖層的沉積以及所述緩沖層的固化在單個工藝腔室中進行。

12.根據權利要求11所述的方法，其特征在于，所述單個工藝腔室是PECVD腔室。

13.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一阻擋層包括SiN、SiON、SiO₂、Al₂O₃或AlN。

14.根據權利要求13所述的方法，其特征在于，所述第二阻擋層包括SiN、SiON或SiO₂。