[發(fā)明專利]原位檢測襯底處理系統(tǒng)的襯底區(qū)域中的氧的系統(tǒng)和方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201710897288.0 | 申請日: | 2017-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN107941757A | 公開(公告)日: | 2018-04-20 |
| 發(fā)明(設計)人: | 楊鄧良;伊利亞·卡利諾夫斯基;方浩全;大衛(wèi)·張 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | G01N21/63 | 分類號: | G01N21/63;G01N21/73 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所31263 | 代理人: | 李獻忠,張靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 原位 檢測 襯底 處理 系統(tǒng) 區(qū)域 中的 方法 | ||
1.一種用于測量襯底上方的中性氣體物質的濃度的測量系統(tǒng),其包括:
室;
位于所述室中以支撐襯底的襯底支撐件;
等離子體源,其用于在所述室中在所述襯底上方產(chǎn)生等離子體,其中所述等離子體產(chǎn)生比中性氣體物質具有更高的電離能的亞穩(wěn)態(tài)物質,并且其中所述亞穩(wěn)態(tài)物質激發(fā)位于所述襯底上方的所述中性氣體物質;
光學發(fā)射光譜儀(OES)傳感器,其用于在由所述等離子體源產(chǎn)生所述等離子體的同時測量來自所述襯底上方的位置的光譜;和
控制器,其被配置為基于測得的所述光譜確定所述襯底上方的區(qū)域中的所述中性氣體物質的濃度。
2.根據(jù)權利要求1所述的測量系統(tǒng),其中所述控制器被配置為基于所述濃度選擇性地在所述襯底上執(zhí)行處理。
3.根據(jù)權利要求1所述的測量系統(tǒng),其中所述控制器通過將在預定波長下的測得的所述光譜的強度與預定參考值進行比較來確定所述中性氣體物質的所述濃度。
4.根據(jù)權利要求1所述的測量系統(tǒng),其中所述控制器使用由在預定波長下的測得的所述光譜的強度索引的查找表來確定所述中性氣體物質的所述濃度。
5.根據(jù)權利要求1所述的測量系統(tǒng),其中所述控制器使用預定函數(shù)以及在預定波長下的測得的所述光譜的強度來確定所述中性氣體物質的所述濃度。
6.根據(jù)權利要求1所述的測量系統(tǒng),其中所述等離子體源使用不包括所述中性氣體物質的等離子體氣體混合物來產(chǎn)生所述等離子體。
7.根據(jù)權利要求1所述的測量系統(tǒng),其中提供給所述等離子體源的等離子體氣體混合物包括氦,并且其中所述亞穩(wěn)態(tài)物質包括氦亞穩(wěn)態(tài)物質。
8.根據(jù)權利要求7所述的測量系統(tǒng),其中所述等離子體氣體混合物還包括選自由氬、氖和分子氮組成的組中的至少一種氣體。
9.根據(jù)權利要求1所述的測量系統(tǒng),其中所述中性氣體物質包括分子氧。
10.根據(jù)權利要求1所述的測量系統(tǒng),其中所述中性氣體物質包括分子氮。
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