[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201710896628.8
• 申請日: 2017-09-28
• 公開（公告）號: CN108807159A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝博全;柯忠廷;陳亭綱;黃建中;黃泰鈞;李資良
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 李昕巍;章侃銥

方法包括形成虛置柵極堆迭于基板上，形成間隔物層于虛置柵極堆迭上，形成蝕刻停止層于間隔物層與虛置柵極堆迭上，且蝕刻停止層包括垂直部分與水平部分，并在蝕刻停止層上進(jìn)行致密化制程，其中致密化制程后的水平部分比垂直部分致密。方法亦包括形成氧化物層于蝕刻停止層上，并在氧化物層及蝕刻停止層上進(jìn)行回火制程，其中回火制程后的垂直部分比水平部分具有更高的氧濃度。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開實(shí)施例關(guān)于半導(dǎo)體裝置的形成方法，更特別關(guān)于減少與柵極間隔物相鄰的介電層的介電常數(shù)或厚度。

背景技術(shù)

集成電路材料與設(shè)計的技術(shù)進(jìn)展，使每一代的集成電路均比前一代具有更小且更復(fù)雜的電路。在集成電路的演進(jìn)中，功能密度(單位晶片面積所具有的內(nèi)連線裝置數(shù)目)通常隨著幾何尺寸(如最小構(gòu)件或線路)減少而增加。尺寸縮小的制程通常有利于增加產(chǎn)能并降低成本。

上述尺寸縮小亦增加集成電路的制程復(fù)雜度，為實(shí)現(xiàn)上述進(jìn)展，亦需發(fā)展集成電路制程。舉例來說，鰭狀場效晶體管已取代平面晶體管。鰭狀場效晶體管的結(jié)構(gòu)與其制作方法正在發(fā)展。

鰭狀場效晶體管的形成方法通常關(guān)于形成半導(dǎo)體鰭狀物、布植半導(dǎo)體鰭狀物以形成井區(qū)、形成虛置柵極于半導(dǎo)體鰭狀物上、進(jìn)行外延以成長源極/漏極區(qū)、以及形成接點(diǎn)至源極/漏極區(qū)及柵極上。

發(fā)明內(nèi)容

本公開一實(shí)施例提供的半導(dǎo)體裝置的形成方法，包括：形成虛置柵極堆迭于基板上；形成間隔物層于虛置柵極堆迭上；形成蝕刻停止層于間隔物層與虛置柵極堆迭上，且蝕刻停止層包含垂直部分與水平部分；在蝕刻停止層上進(jìn)行致密化制程，其中致密化制程之后的水平部分比垂直部分致密；形成氧化物層于蝕刻停止層上；在氧化層與蝕刻停止層上進(jìn)行回火制程，其中回火制程后的垂直部分的氧濃度大于水平部分的氧濃度；形成多個源極與漏極區(qū)于基板中；移除虛置柵極堆迭以形成開口；以及形成置換柵極堆迭于開口中。

附圖說明

圖1至14是一些例示性實(shí)施例中，形成鰭狀場效晶體管的制程其中間階段的剖視圖與透視圖。

圖15是一些實(shí)施例中，形成鰭狀場效晶體管的制程流程。

附圖標(biāo)記說明：

A-A' 剖線

20 基板

22 隔離區(qū)

22A 襯墊氧化物

22B 介電材料

24 半導(dǎo)體帶

26 半導(dǎo)體鰭狀物

28 虛置柵極介電層

30 虛置柵極堆迭

32 虛置柵極

34、36、54 遮罩層

40 間隔物層

42 柵極間隔物

44、44' 外延區(qū)

50 淺溝槽隔離區(qū)

51 接點(diǎn)蝕刻停止層其垂直部分

52、72 層間介電物

53 接點(diǎn)蝕刻停止層其水平部分

56 置換柵極堆迭

57 氧化的接點(diǎn)蝕刻停止層其水平部分

58 置換柵極介電物

59 氧化的接點(diǎn)蝕刻停止層其垂直部分

60 置換柵極

62 介電材料